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第 5 章：固态二极管与二极管特性
原始标题：Chapter 5: Solid-state diodes and diode characteristics · 来源：https://wiki.analog.com/university/courses/electronics/text/chapter-5
说明：这是面向学习的中文详注 HTML，不是 ADI 官方中文译本。页面保留原文句子，并在每句下方给出中文译读和术语注释；涉及公式、参数和器件选择时，请回到 ADI 原文与对应数据手册复核。
本章中文详解重写讲义版
第 5 章：固态二极管与二极管特性
中文学习笔记，依据 ADI 原章节 重述并补充工程注释。不是逐句翻译，也不替代 ADI 原文与器件数据手册。
本章定位
本章从 PN 结的耗尽层和载流子运动出发，连接到二极管的指数伏安特性、温度效应以及大信号/小信号模型。模型选择取决于问题尺度：逻辑判断、直流偏置和微小交流扰动应使用不同精度。
学习目标
- 能用物理直觉说明主要电路或器件的工作过程。
- 能写出本章核心近似式，并说明近似成立的条件。
- 能识别输入范围、输出余量、功耗、噪声或稳定性中的主要限制。
- 能阅读原理图并完成数量级检查。
原章小节索引
- 5.1 The PN junction
- 5.1.1 Properties of a PN junction
- 5.1.2 Equilibrium (zero bias)
- 5.1.3 Forward bias
- 5.1.4 Reverse bias
- Section Summary
- 5.2 Actual Diodes
- 5.3 Temperature behavior of Diodes
- 5.4 Linear Model
- 5.5 Small-Signal Model
- Section Summary
PN 结与零偏置
P 区和 N 区接触后，多数载流子扩散并留下固定离子，形成耗尽层和内建电场。平衡时扩散电流与漂移电流相抵，外部端口电流为零。
正向与反向偏置
正向偏置降低势垒，电流随端电压近似指数增加；反向偏置扩大耗尽区，只剩很小漏电，直到齐纳或雪崩击穿。击穿并不必然损坏，关键在于是否限制电流和功耗。
温度特性
在恒流下，硅二极管正向压降通常随温度升高而下降；反向漏电则显著增加。温度系数与工作电流相关，精密测温需要校准而不能只记“约 -2 mV/°C”。
分段线性模型
快速手算可用理想开关、固定压降或固定压降加串联电阻模型。先假设导通状态、求解后检查电流方向与端电压，若不自洽就切换状态。
小信号模型
在直流工作点附近，把指数曲线线性化得到动态电阻。小信号模型只描述微小增量，不能拿来预测跨越多个工作区的大幅波形。
核心公式与使用条件
- Shockley 方程：$I_D=I_S(e^{V_D/(nV_T)}-1)$
- $V_T=kT/q$，室温约 25.9 mV
- 小信号电阻：$r_d\approx nV_T/I_D$
- 功耗：$P_D=V_DI_D$
公式默认采用理想或一阶模型。用于实际设计前，应补入器件容差、温度范围、频率依赖和数据手册保证值。
常见误区
- 把 0.7 V 当作所有电流下的物理常数。
- 反向击穿时不设置限流。
- 在大信号整流问题中直接使用小信号电阻。
设计检查清单
- 先标出所有电压极性、电流方向与直流工作点。
- 验证器件处于假设的工作区，并检查输入/输出合规范围。
- 对最大、最小电源与温度角点重复计算。
- 计算功耗、噪声或带宽时写清单位和积分带宽。
- 用仿真或实验验证瞬态、稳定性及最坏容差。
配图
图 1：选自 ADI 原章节；请结合本章中文解释阅读。
图 2：选自 ADI 原章节；请结合本章中文解释阅读。
图 3：选自 ADI 原章节；请结合本章中文解释阅读。
图 4：选自 ADI 原章节；请结合本章中文解释阅读。
复习题
- 用自己的话说明“PN 结与零偏置”解决的核心问题。
- 针对“小信号模型”，列出一个计算中必须检查的边界条件。
- 选取本章一幅图，沿信号或能量流向逐节点解释其工作过程。
来源与署名
- 来源：ADI 原章节。
- 原始教材及图片：Analog Devices, Inc.，用于非商业教育学习；保留 ADI 署名。
- 本文中文讲解为重新组织的学习笔记；如与原文或最新数据手册不一致，以原始资料和器件数据手册为准。
原文逐句译读与注释按原站顺序
Chapter 5: Solid-state diodes and diode characteristics二极管
原句In electronics, a diode is a two-terminal component with an asymmetric current vs. voltage characteristic, with low (ideally zero) resistance to current flow in one direction, and high (ideally infinite) resistance in the other.
中文译读逐句译读：这句话围绕 二极管、电阻 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释二极管：单向导电非线性器件；实际行为与电流、温度和反向恢复有关。；电阻：耗散能量并限制电流的元件参数。。
原句A silicon semiconductor diode, the most common type, is a single crystal piece of semiconductor material with a PN junction connected to two electrical terminals.
中文译读逐句译读：这句话围绕 二极管、PN 结 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释二极管：单向导电非线性器件；实际行为与电流、温度和反向恢复有关。；PN 结：P 型和 N 型半导体形成的结，是二极管和 BJT 的物理基础。。
5.1 The PN junctionPN 结
原句A PN junction is formed by joining p-type and n-type semiconductors together in a single crystal lattice.
中文译读逐句译读：这句话围绕 PN 结 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释PN 结：P 型和 N 型半导体形成的结，是二极管和 BJT 的物理基础。。
原句The term junction refers to the boundary interface where the two regions of the semiconductor meet.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句If the junction was constructed of two separate pieces this would introduce a discontinuity in the crystal lattice, so PN junctions are created in a single crystal of semiconductor by introducing certain impurities called dopants, for example by ion implantation, diffusion, or by epitaxy (growing a layer of crystal doped with n-type impurities on top of a layer of crystal doped with p-type impurities for example).
中文译读这是举例说明。例子的作用是把 PN 结 落到具体数值、器件或电路情形上。
补充注释PN 结：P 型和 N 型半导体形成的结，是二极管和 BJT 的物理基础。。
原句PN junctions are the elementary building blocks of almost all semiconductor electronic devices such as diodes, transistors, solar cells, LEDs, and integrated circuits; they are the active sites where the electronic action of the device takes place.
中文译读逐句译读：这句话围绕 二极管、PN 结 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释二极管：单向导电非线性器件；实际行为与电流、温度和反向恢复有关。；PN 结：P 型和 N 型半导体形成的结，是二极管和 BJT 的物理基础。。
原句For example, a common type of transistor, the bipolar junction transistor, consists of two PN junctions in series, in the form NPN or PNP.
中文译读这是举例说明。例子的作用是把 双极型晶体管、PN 结 落到具体数值、器件或电路情形上。
补充注释双极型晶体管：BJT，电流由载流子注入控制，参数 beta 离散性很大。；PN 结：P 型和 N 型半导体形成的结，是二极管和 BJT 的物理基础。。
5.1.1 Properties of a PN junctionPN 结
原句The PN junction exhibits some interesting properties which have useful applications in solid state electronics.
中文译读逐句译读：这句话围绕 PN 结 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释PN 结：P 型和 N 型半导体形成的结，是二极管和 BJT 的物理基础。。
原句A p-doped semiconductor is relatively conductive.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句The same is true of an n-doped semiconductor, but the junction between p and n type regions is a nonconductor.
中文译读可译为“但是/然而……”。本句在提醒限制或例外：即使涉及 上述概念，也不能无条件套用前一句结论。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句This non-conducting layer, called the depletion layer, occurs because the electrically charged carriers, electrons in n-type and holes p-type silicon, diffuse into the other type of material (i.e. electrons in p-type and holes in n-type) and eliminate each other in a process called recombination.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句This diffusion of charge causes a built in potential difference across the depletion region.
中文译读逐句译读：这句话围绕 耗尽层 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释耗尽层：PN 结附近缺少自由载流子的区域，决定结电容和势垒。。
原句By manipulating this non-conductive layer, PN junctions are commonly used as diodes: circuit elements that allow a flow of electricity in one direction but not in the other (opposite) direction.
中文译读可译为“但是/然而……”。本句在提醒限制或例外：即使涉及 二极管、PN 结，也不能无条件套用前一句结论。
补充注释二极管：单向导电非线性器件；实际行为与电流、温度和反向恢复有关。；PN 结：P 型和 N 型半导体形成的结，是二极管和 BJT 的物理基础。。
原句This property is explained in terms of forward bias and reverse bias, where the term bias refers to the application of an electric voltage across the PN junction.
中文译读逐句译读：这句话围绕 PN 结 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释PN 结：P 型和 N 型半导体形成的结，是二极管和 BJT 的物理基础。。
原句A PN junction will conduct current when the applied external voltage exceeds the built in potential of the junction.
中文译读逐句译读：这句话围绕 PN 结 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释PN 结：P 型和 N 型半导体形成的结，是二极管和 BJT 的物理基础。。
5.1.2 Equilibrium (zero bias)本节译题：5.1.2 Equilibrium (zero bias)
原句In a PN junction, without an external applied voltage, an equilibrium condition is reached in which a potential difference is formed across the junction.
中文译读逐句译读：这句话围绕 PN 结 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释PN 结：P 型和 N 型半导体形成的结，是二极管和 BJT 的物理基础。。
原句This potential difference is called the built-in potential, V<sub>BI</sub>.
中文译读可译为“这种对象/现象称为……”。本句是在给 一个术语 下定义；后文遇到该词时要回到这个定义。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句At the junction of p-type and n-type semiconductors, higher concentration of electrons in the n-type region near the PN interface tend to diffuse into the p-type region.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句As electrons diffuse, they leave positively charged ions (donors) in the n region.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句Similarly, the higher concentration of holes on the p-type side near the PN interface begin to diffuse into the n-type region leaving fixed ions (acceptors) with negative charge.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句The regions just adjacent on either side of the PN interface lose their neutrality and become charged, forming the space charge region or depletion layer (see figure 5.1).
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
图片未下载：university:courses:electronics:text:chptr5-f1.png
原句Figure 5.1 PN junction at equilibrium
中文译读逐句译读：这句话围绕 PN 结 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释PN 结：P 型和 N 型半导体形成的结，是二极管和 BJT 的物理基础。。
原句The electric field created by the space charge region opposes the diffusion process for both electrons and holes.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句There are two simultaneous phenomena: the diffusion process that tends to generate more space charge, and the electric field generated by the space charge that tends to counteract the diffusion.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句At equilibrium these two forces balance each other.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句The carrier concentration profile at equilibrium is shown in figure 5.1 with blue and red lines.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句Also shown are the two counterbalancing phenomena that establish equilibrium.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句The space charge region is a zone with a net charge provided by the fixed ions (donors or acceptors) that have been left uncovered by majority carrier diffusion.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句When equilibrium is reached, the charge density is approximated by the displayed step function in the figure 5.2 Q(x) graph.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句In fact, the region is completely depleted of majority carriers (leaving a charge density equal to the net doping level), and the edge between the space charge region and the neutral region is quite sharp.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句The space charge region has the same charge on both sides of the PN interface, thus it extends farther into the less heavily doped side (the n side in figures 5.1 and 5.2).
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
图片未下载：university:courses:electronics:text:chptr5-f2.png
原句Figure 5.2
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
5.1.3 Forward bias本节译题：5.1.3 Forward bias
原句In forward bias, a positive voltage is applied to the p-type side with respect to the n-type side of the junction.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句With a voltage applied in this way, the holes in the p-type region and the electrons in the n-type region are forced towards the junction.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句This reduces the width of the depletion layer.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句The positive charge applied to the p-type material repels the holes, while the negative charge applied to the n-type material repels the electrons.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句The distance between the electrons and holes decreases as they are forced towards the junction.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句This lowers the built in potential barrier.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句With increasing forward-bias voltage, the depletion layer eventually becomes thin enough that the built in electric field can no longer counteract the charge carrier motion across the PN junction, consequently reducing the electrical resistance.
中文译读逐句译读：这句话围绕 PN 结、电阻 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释PN 结：P 型和 N 型半导体形成的结，是二极管和 BJT 的物理基础。；电阻：耗散能量并限制电流的元件参数。。
原句The electrons which cross the PN junction into the p-type material (or holes which cross into the n-type material) will diffuse in the near-neutral region.
中文译读逐句译读：这句话围绕 PN 结 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释PN 结：P 型和 N 型半导体形成的结，是二极管和 BJT 的物理基础。。
原句Therefore, the amount of minority diffusion in the near-neutral zones determines the amount of current that may flow through the diode.
中文译读逐句译读：这句话围绕 二极管 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释二极管：单向导电非线性器件；实际行为与电流、温度和反向恢复有关。。
原句Only majority carriers (electrons in n-type material or holes in p-type) can flow through a semiconductor for a macroscopic length.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句With this in mind, consider the flow of electrons across the junction.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句The forward bias causes a force on the electrons pushing them from the N side toward the P side.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句With forward bias, the depletion region is narrow enough that electrons can cross the junction and are injected into the p-type material.
中文译读逐句译读：这句话围绕 耗尽层 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释耗尽层：PN 结附近缺少自由载流子的区域，决定结电容和势垒。。
原句However, they do not continue to flow through the p-type material indefinitely, because it is energetically favorable for them to recombine with holes.
中文译读可译为“但是/然而……”。本句在提醒限制或例外：即使涉及 上述概念，也不能无条件套用前一句结论。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句The average length an electron travels through the p-type material before recombining is called the diffusion length, and it is typically on the order of microns.
中文译读可译为“这种对象/现象称为……”。本句是在给 一个术语 下定义；后文遇到该词时要回到这个定义。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句Although the electrons penetrate only a short distance into the p-type material before recombining, the electric current continues uninterrupted, because holes (the majority carriers) begin to flow in the opposite direction replacing the ones that the minority carrier electrons recombined with.
中文译读可译为“但是/然而……”。本句在提醒限制或例外：即使涉及 上述概念，也不能无条件套用前一句结论。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句The total current (the sum of the electron and hole currents) is constant in space, because any variation would cause charge to build up over time (this is Kirchhoff's current law).
中文译读逐句译读：这句话围绕 基尔霍夫、电流定律 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释基尔霍夫：KCL/KVL 来自电荷守恒和能量守恒，是电路分析的底层约束。；电流定律：节点电流代数和为零，核心是电荷不能凭空积累。。
原句The flow of holes from the p-type region into the n-type region is exactly analogous to the flow of electrons from N to P (electrons and holes swap roles and the signs of all currents and voltages are reversed).
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句Therefore, the macroscopic picture of the current flow through the diode involves electrons flowing through the n-type region toward the junction, holes flowing through the p-type region in the opposite direction toward the junction, and the two kinds of carriers constantly recombining in the vicinity (given by the diffusion length) of the junction.
中文译读逐句译读：这句话围绕 二极管 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释二极管：单向导电非线性器件；实际行为与电流、温度和反向恢复有关。。
原句The electrons and holes travel in opposite directions, but they also have opposite charges, so the overall current is in the same direction on both sides of the diode, as required.
中文译读可译为“必须/需要……”。这是约束条件，通常关系到 二极管。
补充注释二极管：单向导电非线性器件；实际行为与电流、温度和反向恢复有关。。
5.1.4 Reverse bias本节译题：5.1.4 Reverse bias
原句Reverse bias usually refers to how a diode is used in a circuit.
中文译读可译为“它可用于/常用于……”。本句强调 二极管 的用途，设计时还要检查适用条件和限制。
补充注释二极管：单向导电非线性器件；实际行为与电流、温度和反向恢复有关。。
原句If a diode is reverse biased, the voltage at the cathode is higher than that at the anode.
中文译读逐句译读：这句话围绕 二极管 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释二极管：单向导电非线性器件；实际行为与电流、温度和反向恢复有关。。
原句Therefore, no current will flow until the electric field is so high that the diode breaks down.
中文译读逐句译读：这句话围绕 二极管 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释二极管：单向导电非线性器件；实际行为与电流、温度和反向恢复有关。。
原句Because the p-type material is now connected to the negative side of the applied voltage, the holes in the p-type material are pulled away from the junction, causing the thickness of the depletion layer to increase.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句Similarly, because the n-type region is connected to the positive side, the electrons will also be pulled away from the junction.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句Therefore the depletion layer widens, and does so increasingly with increasing reverse-bias voltage.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句This increases the voltage barrier causing a high resistance to the flow of charge carriers thus allowing only a very small electric current to leak across the PN junction.
中文译读逐句译读：这句话围绕 PN 结、电阻 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释PN 结：P 型和 N 型半导体形成的结，是二极管和 BJT 的物理基础。；电阻：耗散能量并限制电流的元件参数。。
原句The strength of the depletion layer electric field increases as the reverse-bias voltage increases.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句Once the electric field intensity increases beyond a critical level, the PN junction depletion layer breaks-down and current begins to flow, usually by either the Zener or avalanche breakdown processes.
中文译读逐句译读：这句话围绕 PN 结、齐纳 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释PN 结：P 型和 N 型半导体形成的结，是二极管和 BJT 的物理基础。；齐纳：反向击穿稳压器件；必须限流并检查功耗。。
原句Both of these breakdown processes are non-destructive and are reversible, as long as the amount of current flowing does not reach levels that cause the semiconductor material to overheat and cause thermal damage.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句This effect is used to one's advantage in zener diode regulator circuits.
中文译读可译为“它可用于/常用于……”。本句强调 二极管、齐纳 的用途，设计时还要检查适用条件和限制。
补充注释二极管：单向导电非线性器件；实际行为与电流、温度和反向恢复有关。；齐纳：反向击穿稳压器件；必须限流并检查功耗。。
原句Zener diodes have a well-defined low reverse breakdown voltage by design.
中文译读逐句译读：这句话围绕 二极管、齐纳 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释二极管：单向导电非线性器件；实际行为与电流、温度和反向恢复有关。；齐纳：反向击穿稳压器件；必须限流并检查功耗。。
原句A typical value for the breakdown voltage is for instance 6.2V.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句This means that the voltage at the cathode can never be more than 6.2V higher than the voltage at the anode, because the diode will break down, and therefore conduct, if the voltage gets any higher.
中文译读逐句译读：这句话围绕 二极管 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释二极管：单向导电非线性器件；实际行为与电流、温度和反向恢复有关。。
原句This effectively limits the voltage across the diode.
中文译读逐句译读：这句话围绕 二极管 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释二极管：单向导电非线性器件；实际行为与电流、温度和反向恢复有关。。
原句Another application where reverse biased diodes are used is in varactor (variable capacitor) diodes.
中文译读可译为“它可用于/常用于……”。本句强调 二极管 的用途，设计时还要检查适用条件和限制。
补充注释二极管：单向导电非线性器件；实际行为与电流、温度和反向恢复有关。。
原句The depletion layer acts as an insulator between the two conducting plates or terminals of the diode.
中文译读逐句译读：这句话围绕 二极管 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释二极管：单向导电非线性器件；实际行为与电流、温度和反向恢复有关。。
原句The capacitance is a function of the width of the insulating layer and its area.
中文译读逐句译读：这句话围绕 电容 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释电容：储存电荷的能力；阻抗随频率升高而降低。。
原句The width of the depletion zone of any diode changes with the voltage applied.
中文译读逐句译读：这句话围绕 二极管 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释二极管：单向导电非线性器件；实际行为与电流、温度和反向恢复有关。。
原句This varies the capacitance of the diode.
中文译读逐句译读：这句话围绕 二极管、电容 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释二极管：单向导电非线性器件；实际行为与电流、温度和反向恢复有关。；电容：储存电荷的能力；阻抗随频率升高而降低。。
原句Varactors are purposely designed with one side of the PN junction lightly doped so there will be a large depletion region on that side of the diode.
中文译读逐句译读：这句话围绕 二极管、PN 结、耗尽层 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释二极管：单向导电非线性器件；实际行为与电流、温度和反向恢复有关。；PN 结：P 型和 N 型半导体形成的结，是二极管和 BJT 的物理基础。；耗尽层：PN 结附近缺少自由载流子的区域，决定结电容和势垒。。
原句This thicker region will also be effected more by the applied bias voltage and thus the change in capacitance of the diode ( ΔC/ΔV ) will be a strong function of the applied bias.
中文译读逐句译读：这句话围绕 二极管、电容 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释二极管：单向导电非线性器件；实际行为与电流、温度和反向恢复有关。；电容：储存电荷的能力；阻抗随频率升高而降低。。
Section Summary小结
原句The forward-bias and the reverse-bias properties of the PN junction imply that it can be used as a diode.
中文译读可译为“它可用于/常用于……”。本句强调 二极管、PN 结 的用途，设计时还要检查适用条件和限制。
补充注释二极管：单向导电非线性器件；实际行为与电流、温度和反向恢复有关。；PN 结：P 型和 N 型半导体形成的结，是二极管和 BJT 的物理基础。。
原句A PN junction diode allows electric charges to flow in one direction, but not in the opposite direction; negative charges (electrons) can easily flow through the junction from N to P but not from P to N and the reverse is true for holes.
中文译读可译为“但是/然而……”。本句在提醒限制或例外：即使涉及 二极管、PN 结，也不能无条件套用前一句结论。
补充注释二极管：单向导电非线性器件；实际行为与电流、温度和反向恢复有关。；PN 结：P 型和 N 型半导体形成的结，是二极管和 BJT 的物理基础。。
原句When the PN junction is forward biased, electric charge flows freely due to reduced resistance of the PN junction.
中文译读逐句译读：这句话围绕 PN 结、电阻 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释PN 结：P 型和 N 型半导体形成的结，是二极管和 BJT 的物理基础。；电阻：耗散能量并限制电流的元件参数。。
原句When the PN junction is reverse biased, however, the junction barrier (and therefore resistance) becomes greater and charge flow is very small.
中文译读可译为“但是/然而……”。本句在提醒限制或例外：即使涉及 PN 结、电阻，也不能无条件套用前一句结论。
补充注释PN 结：P 型和 N 型半导体形成的结，是二极管和 BJT 的物理基础。；电阻：耗散能量并限制电流的元件参数。。
5.2 Actual Diodes二极管
原句The figure 5.3 below gives the schematic symbol for a diode (a) and a picture of a typical diode from the lab (b).
中文译读逐句译读：这句话围绕 二极管 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释二极管：单向导电非线性器件；实际行为与电流、温度和反向恢复有关。。
原句Diodes are quite common and useful devices.
中文译读逐句译读：这句话围绕 二极管 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释二极管：单向导电非线性器件；实际行为与电流、温度和反向恢复有关。。
原句One can think of a diode as a device which allows current to flow in only one direction.
中文译读逐句译读：这句话围绕 二极管 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释二极管：单向导电非线性器件；实际行为与电流、温度和反向恢复有关。。
原句This is an over-simplification, but a good approximation.
中文译读可译为“但是/然而……”。本句在提醒限制或例外：即使涉及 上述概念，也不能无条件套用前一句结论。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
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原句(a)
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
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原句(b) Figure 5.3: (a) Diode Schematic Symbol (b) small signal diode.
中文译读逐句译读：这句话围绕 小信号、二极管 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释小信号：在直流工作点附近线性化后的增量模型，只适合小扰动。；二极管：单向导电非线性器件；实际行为与电流、温度和反向恢复有关。。
原句As was discussed earlier, semiconductor diodes are fabricated as a two layer structure forming a PN junction.
中文译读逐句译读：这句话围绕 二极管、PN 结 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释二极管：单向导电非线性器件；实际行为与电流、温度和反向恢复有关。；PN 结：P 型和 N 型半导体形成的结，是二极管和 BJT 的物理基础。。
原句Semiconductors, such as silicon or germanium, can be doped with small concentrations of specific impurities to yield a material which conducts electricity via electron transport (n-type) or via holes (p-type).
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句When layers of these two types of doped semiconductor are constructed to form a PN junction, electrons migrate away from the n-type side and holes migrate away from the p-type side, as shown in figure.
中文译读逐句译读：这句话围绕 PN 结 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释PN 结：P 型和 N 型半导体形成的结，是二极管和 BJT 的物理基础。。
原句5.1. This redistribution of charge gives rise to a potential gap V<sub>BI</sub> across the junction, as depicted in the Figure.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句This gap is VBI ~0.7 V for silicon and ~0.3 V for germanium.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
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原句Figure 5.4 A PN junction, forming a voltage gap across the junction
中文译读逐句译读：这句话围绕 PN 结 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释PN 结：P 型和 N 型半导体形成的结，是二极管和 BJT 的物理基础。。
原句When this PN junction diode is now connected to an external voltage, this can effectively increase or decrease the built in potential gap.
中文译读逐句译读：这句话围绕 二极管、PN 结 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释二极管：单向导电非线性器件；实际行为与电流、温度和反向恢复有关。；PN 结：P 型和 N 型半导体形成的结，是二极管和 BJT 的物理基础。。
原句This gives rise to very different behavior, depending upon the polarity of this external voltage, as shown by the typical V - I plot of figure.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句5.5. When the diode is reverse biased, as depicted in figure 5.6, the gap increases, and very little current flows across the junction (until eventually in this example at ~ 6.2V field break down occurs).
中文译读逐句译读：这句话围绕 二极管 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释二极管：单向导电非线性器件；实际行为与电流、温度和反向恢复有关。。
原句Conversely, a forward biased configuration decreases the gap, approaching zero for an external voltage equal to the gap voltage, and current can flow easily.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句The expression for the (forward bias) diode voltage V<sub>D</sub> is as follows:
中文译读逐句译读：这句话围绕 二极管 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释二极管：单向导电非线性器件；实际行为与电流、温度和反向恢复有关。。
原句(5.1)
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句Where:\\ V<sub>D</sub> = applied voltage across the diode\\ k = Boltzman constant (1.38E-23 Joules/Kelvin)\\ T = the absolute temperature in Kelvin\\ q = the electron charge (1.6E-19 Coulombs)\\ I<sub>D</sub> = the actual current through the diode\\ I<sub>S</sub> = the diffusion current (a device dependent constant)\\ (The so called thermal voltage, V<sub>T</sub>, is kT/q = 26 mV at room temperature.)
中文译读逐句译读：这句话围绕 二极管 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释二极管：单向导电非线性器件；实际行为与电流、温度和反向恢复有关。。
原句The equation above can be rearranged to provide I<sub>D</sub>:
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句(5.2)
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句Thus, when reverse biased, the diode behaves much like an open switch; and when forward biased, for currents of about 10 mA or greater, the diode gives a nearly constant voltage drop of ~0.7 V.
中文译读逐句译读：这句话围绕 二极管 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释二极管：单向导电非线性器件；实际行为与电流、温度和反向恢复有关。。
原句The diffusion current, I<sub>S,</sub>is dependent on the doping level of n-type and p-type impurities, the area of the diode and (very much) on temperature.
中文译读可译为“结果取决于……”。关键依赖项是 二极管，不能只看单一典型值。
补充注释二极管：单向导电非线性器件；实际行为与电流、温度和反向恢复有关。。
原句A reasonable starting point for a small-geometry Integrated Circuit diode is I<sub>S</sub>=1E<sup>-16</sup>.
中文译读逐句译读：这句话围绕 二极管 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释二极管：单向导电非线性器件；实际行为与电流、温度和反向恢复有关。。
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原句Figure 5.5: The voltage, V<sub>D</sub> vs. current, I<sub>D</sub> behavior of a diode
中文译读逐句译读：这句话围绕 二极管 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释二极管：单向导电非线性器件；实际行为与电流、温度和反向恢复有关。。
原句The opposing charges in a semiconductor junction are no different from those on the plates of a capacitor.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句So every junction has a capacitance; but since the distance between the electrons and holes, the depletion layer, changes with applied voltage, the capacitance depends on the applied voltage.
中文译读可译为“结果取决于……”。关键依赖项是 电容，不能只看单一典型值。
补充注释电容：储存电荷的能力；阻抗随频率升高而降低。。
原句The lower the voltage, the higher the capacitance, and it will increase right into the forward bias region.
中文译读逐句译读：这句话围绕 电容 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释电容：储存电荷的能力；阻抗随频率升高而降低。。
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原句Figure 5.6 Voltage vs.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句Current behavior of a 6.2 Volt Zener diode
中文译读逐句译读：这句话围绕 二极管、齐纳 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释二极管：单向导电非线性器件；实际行为与电流、温度和反向恢复有关。；齐纳：反向击穿稳压器件；必须限流并检查功耗。。
原句One additional thing to note about real diodes, is the series resistance in the semiconductor material not taken up by the depletion region.
中文译读逐句译读：这句话围绕 二极管、耗尽层、电阻 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释二极管：单向导电非线性器件；实际行为与电流、温度和反向恢复有关。；耗尽层：PN 结附近缺少自由载流子的区域，决定结电容和势垒。；电阻：耗散能量并限制电流的元件参数。。
原句For a common concentration of 5E<sup>15</sup> (dopant atoms per cubic centimeter, giving a practical breakdown voltage in an IC of about 25 Volts), the bulk resistivity is about 1 Ohm-cm for phosphorus (n-type) doped silicon and 3 Ohm-cm for boron (p-type).
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句For comparison, a metal like aluminum has a resistivity of 2.8 microOhm-cm, copper 1.7 microOhm-cm.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句Bulk Resistivity (ρ or rho) is measured between opposite surfaces of a cube of material with a side-length (w, h, l) of 1cm (10mm).
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
5.3 Temperature behavior of Diodes二极管
原句From the diode voltage equation, 5.1, we can see that it contains the absolute temperature term T.
中文译读逐句译读：这句话围绕 二极管 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释二极管：单向导电非线性器件；实际行为与电流、温度和反向恢复有关。。
原句In addition, the diffusion current, I<sub>S</sub>, is not actually constant but is highly temperature dependent.
中文译读可译为“但是/然而……”。本句在提醒限制或例外：即使涉及 上述概念，也不能无条件套用前一句结论。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句In the lower set of plots in figure 5.7 the simulated diode voltage vs. temperature is plotted for four different diode currents (green=1 mA, blue=2 mA, red=5mA and cyan=10mA).
中文译读逐句译读：这句话围绕 二极管 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释二极管：单向导电非线性器件；实际行为与电流、温度和反向恢复有关。。
原句It is apparent from the curves that the diode voltage has a rather strong negative temperature dependence.
中文译读逐句译读：这句话围绕 二极管 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释二极管：单向导电非线性器件；实际行为与电流、温度和反向恢复有关。。
原句In the upper plot the difference between the 2mA and the 1mA curves is plotted along with the difference between the 5mA and 10mA curves.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句These two results lie exactly on top of each other.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句The reason for this is apparent if we examine the diode voltage equation more closely.
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补充注释二极管：单向导电非线性器件；实际行为与电流、温度和反向恢复有关。。
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原句Figure 5.7 Diode Voltage vs.
中文译读逐句译读：这句话围绕 二极管 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释二极管：单向导电非线性器件；实际行为与电流、温度和反向恢复有关。。
原句Temperature at 1mA, 2mA, 5mA and 10mA
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句(5.3)
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句Rearranging and assuming I<sub>S1</sub> = I<sub>S2</sub> we get:
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句(5.4)
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句Now the strong temperature effect of I<sub>S</sub>drops out of the equation and we are left with just the absolute temperature term, T, which makes ΔV<sub>D</sub>proportional to absolute temperature (PTAT).
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句Both V<sub>D2</sub>-V<sub>D1</sub> and V<sub>D4</sub>-V<sub>D3</sub> have the same 2:1 ratio for their currents and thus the ΔV<sub>D</sub> curves will exactly lie on top of each other.
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补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句At room temperature the thermal voltage V<sub>T</sub> is about 26 mV which when multiplied by ln(2) is the approximately 18mV seen in the graph at 25 degrees.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
5.4 Linear Model本节译题：5.4 Linear Model
原句The linear model of the diode approximates the exponential I - V characteristics by a straight line that is tangent to the actual curve at the DC bias point.
中文译读逐句译读：这句话围绕 静态工作点、二极管 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释静态工作点：无交流信号时的直流电压和电流；所有小信号模型都以它为中心。；二极管：单向导电非线性器件；实际行为与电流、温度和反向恢复有关。。
原句Figure 5.8 shows the curve with the tangent line at the point (V<sub>D</sub>, I<sub>D</sub>).
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补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句The curve intersects the horizontal axis at the voltage V<sub>D0</sub>.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句For small changes in V<sub>D</sub>and I<sub>D</sub> about the tangent point, the tangent line gives a good approximation to the actual curve.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
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原句Figure 5.8 I - V characteristics with tangent line at (V<sub>D</sub>, I<sub>D</sub>)
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句The slope of the tangent line is given by:
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句(5.5)
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句I<sub>D</sub> is often much larger than I<sub>S</sub>so the equation is often simplified to:
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句(5.6)
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句The equation of the tangent line is:
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句(5.7)
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
5.5 Small-Signal Model本节译题：5.5 Small-Signal Model
原句Because the diode equation for I<sub>D</sub> as a function of V<sub>D</sub> is non-linear, the tools of linear circuit analysis cannot be applied to circuits containing diodes the same way one would a circuit containing just resistors.
中文译读逐句译读：这句话围绕 二极管 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释二极管：单向导电非线性器件；实际行为与电流、温度和反向恢复有关。。
原句However, if the diode current is known for a particular voltage, linear circuit analysis can be used to predict the change in current for a given change in voltage, provided the change is incrementally small.
中文译读可译为“它可用于/常用于……”。本句强调 二极管 的用途，设计时还要检查适用条件和限制。
补充注释二极管：单向导电非线性器件；实际行为与电流、温度和反向恢复有关。。
原句Such an approach is called a small-signal analysis.
中文译读可译为“这种对象/现象称为……”。本句是在给 一个术语 下定义；后文遇到该词时要回到这个定义。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句A few words about notation:
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
图片未下载：university:courses:electronics:text:chptr5-e8.png
图片未下载：university:courses:electronics:text:chptr5-e9.png
原句Where:\\ V<sub>D</sub> and I<sub>D</sub> are DC bias values and v<sub>d</sub> and i<sub>d</sub> are small-signal changes about the bias values.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句The small-signal resistance is defined as the ratio of v<sub>d</sub> to i<sub>d</sub> and is given by:
中文译读逐句译读：这句话围绕 电阻 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释电阻：耗散能量并限制电流的元件参数。。
原句(5.8)
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补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句This results in the same r<sub>d</sub> as in the linear tangent model of the diode in figure 5.8.
中文译读逐句译读：这句话围绕 二极管 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释二极管：单向导电非线性器件；实际行为与电流、温度和反向恢复有关。。
原句Thus the small-signal model of the diode when forward biased is a resistor of value r<sub>d</sub>.
中文译读逐句译读：这句话围绕 二极管 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释二极管：单向导电非线性器件；实际行为与电流、温度和反向恢复有关。。
原句The value of r<sub>d</sub> is inversely proportional to the current through it.
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补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句Each time the current is doubled, the resistance is halved.
中文译读逐句译读：这句话围绕 电阻 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释电阻：耗散能量并限制电流的元件参数。。
原句It follows from the linear diode model that r<sub>d</sub> can be interpreted graphically as the reciprocal of the slope of the i<sub>D</sub> versus v<sub>D</sub> curve at the point (V<sub>D</sub>, I<sub>D</sub>).
中文译读逐句译读：这句话围绕 二极管 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释二极管：单向导电非线性器件；实际行为与电流、温度和反向恢复有关。。
Section Summary小结
原句Semiconductors contain two types of mobile charge carriers, positively charged holes and negatively charged electrons.\\
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补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句A semiconductor may be doped with donor impurities (n-type doping) so that it contains mobile charges which are electrons.\\
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补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句A semiconductor may be doped with acceptor impurities (p-type doping) so that it contains mobile charges which are holes.\\
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补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句There are two important mechanisms for current flow in a semiconductor:\\
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句diffusion of carriers as a result of a concentration gradient; and \\
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补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句drift of carriers in an electric field.\\
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句At equilibrium, a built-in potential or potential barrier of V<sub>BI</sub>volts is developed across a PN junction.\\
中文译读逐句译读：这句话围绕 PN 结 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释PN 结：P 型和 N 型半导体形成的结，是二极管和 BJT 的物理基础。。
原句With the application of a forward bias voltage V<sub>DF</sub>, the built-in potential is reduced to V<sub>BI</sub>- V<sub>D</sub>, and current flows through the diode when V<sub>DF</sub> is greater than V<sub>BI</sub>.\\
中文译读逐句译读：这句话围绕 二极管 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释二极管：单向导电非线性器件；实际行为与电流、温度和反向恢复有关。。
原句With the application of a reverse bias voltage V<sub>DR</sub>, the height of the potential barrier is increased to V<sub>BI</sub> + V<sub>DR</sub> and little current can flow.\\
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原句When V<sub>BI</sub> + V<sub>DR</sub> is greater than some critical voltage, where the electric field is higher than the dielectric strength of the semiconductor, reverse breakdown of the junction occurs and current will flow.\\
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补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句The total diode current I<sub>D</sub> is related to the applied voltage V<sub>D</sub> by
中文译读逐句译读：这句话围绕 二极管 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释二极管：单向导电非线性器件；实际行为与电流、温度和反向恢复有关。。
图片未下载：university:courses:electronics:text:chptr5-e2.png
原句ADALM1000 Lab Activity 2.
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原句Diode I vs. V curves\\ ADALM1000 Lab Activity, The voltage dependent capacitance of the PN junction
中文译读逐句译读：这句话围绕 二极管、PN 结、电容 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释二极管：单向导电非线性器件；实际行为与电流、温度和反向恢复有关。；PN 结：P 型和 N 型半导体形成的结，是二极管和 BJT 的物理基础。；电容：储存电荷的能力；阻抗随频率升高而降低。。
原句ADALM2000 Lab Activity 2.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句Diode I vs. V curves\\ ADALM2000 Lab Activity, The voltage dependent capacitance of the PN junction\\ ADALM2000 Lab Activity: Differential Temperature Sensor
中文译读逐句译读：这句话围绕 二极管、PN 结、电容 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释二极管：单向导电非线性器件；实际行为与电流、温度和反向恢复有关。；PN 结：P 型和 N 型半导体形成的结，是二极管和 BJT 的物理基础。；电容：储存电荷的能力；阻抗随频率升高而降低。。
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