← 返回总目录 Analog Devices Electronics I & II 中文学习版

ADI 原文 / 中文译读 / 工程注释 / 图片

第 9 章：单管放大级

原始标题：Chapter 9: Single Transistor Amplifier Stages: · 来源：https://wiki.analog.com/university/courses/electronics/text/chapter-9

说明：这是面向学习的中文详注 HTML，不是 ADI 官方中文译本。页面保留原文句子，并在每句下方给出中文译读和术语注释；涉及公式、参数和器件选择时，请回到 ADI 原文与对应数据手册复核。

本章中文详解重写讲义版

第 9 章：单管放大级

中文学习笔记，依据 ADI 原章节 重述并补充工程注释。不是逐句翻译，也不替代 ADI 原文与器件数据手册。

本章定位

本章比较三类基本晶体管放大级：共射/共源提供电压增益，共基/共栅提供低输入阻抗和宽带能力，射极/源极跟随器提供缓冲。偏置、增益与输入输出阻抗应作为一个整体设计。

学习目标

  • 能用物理直觉说明主要电路或器件的工作过程。
  • 能写出本章核心近似式，并说明近似成立的条件。
  • 能识别输入范围、输出余量、功耗、噪声或稳定性中的主要限制。
  • 能阅读原理图并完成数量级检查。

原章小节索引

  • 9.1 Basic Amplifiers
  • 9.2 The inverting voltage amplifier or Common emitter/source
  • 9.2.1 DC Bias techniques, common emitter/source
  • 9.2.2 Small signal voltage gain, common emitter or source
  • 9.2.3 Small signal input impedance, common emitter or source
  • 9.2.4 Small signal output impedance, common emitter or source
  • 9.2.5 common emitter and source Lab Activities
  • 9.3 The Current Follower also known as Common base or gate amplifier
  • 9.3.1 DC Biasing techniques, current follower or common base/gate amplifier
  • 9.3.2 Small signal voltage gain, current follower or common base/gate amplifier
  • 9.3.3 Input impedance, current follower or common base/gate amplifier
  • 9.3.4 Output impedance, current follower or common base/gate amplifier
  • 9.4 Voltage followers (also called Emitter or Source follower or Common collector or drain amplifiers)
  • 9.4.1 DC Biasing techniques, Voltage Follower or common collector/drain amplifier
  • 9.4.2 Voltage gain, common collector or drain amplifier
  • Example 9.4.2 Calculating the Voltage Gain
  • 9.4.3 Input impedance, Voltage Follower (common collector or drain)
  • 9.4.4 Output impedance, Voltage Follower (common collector or drain)
  • 9.4.5 Voltage Follower (common collector or drain) Lab Activities
  • 9.5 Series Feedback: emitter/source degeneration
  • 9.5.1 Small signal voltage gain with emitter/source degeneration
  • 9.5.2 Small signal input impedance with emitter/source degeneration
  • 9.5.3 Small signal output impedance with emitter/source degeneration
  • 9.5.4 DC Biasing techniques with emitter/source degeneration
  • 9.5.5 Summary - performing small-signal analyses:
  • 9.6 Miller’s Theorem
  • 9.7 Shunt feedback:
  • 9.7.1 MOS version
  • 9.7.2 BJT Version DC Biasing techniques
  • Example 9.7.2 Using Miller’s Theorem
  • Exercise 9.7
  • 9.7.5 The Miller Effect
  • Example 9.7.3 Miller Capacitance Example
  • Chapter Summary:
  • Appendix: Source absorption theorem
  • Example A1: Finding the Emitter Resistance using Source absorption theorem
  • Advanced Topics:
  • AT1 Diode bias generation

共射与共源

输出取自集电极或漏极，电压增益反相。负载、电源余量和静态工作点决定最大无失真摆幅；旁路电容只在其阻抗足够低的频段恢复较高增益。

共基与共栅

输入从发射极或源极注入，输入阻抗低、没有明显米勒倍增，适合电流传输和宽带前端。电流增益接近 1，但可获得显著电压增益。

射极与源极跟随器

电压增益略小于 1，却有高输入阻抗和低输出阻抗，常用于隔离级间负载。输出靠近电源轨时会受 $V_{BE}$、$V_{GS}$ 和电流源合规范围限制。

发射极/源极退化

未旁路的退化电阻引入局部负反馈，使增益更可预测、线性更好、输入范围更大，但牺牲增益和电压余量。它也降低器件参数变化对偏置的敏感性。

米勒定理与高频效应

跨接输入输出的电容在反相增益下等效成更大的输入电容，显著压低带宽。共基/共栅、共射共基级联或降低源阻抗都可缓解米勒效应。

分析流程

先做直流：电容开路、求工作点并检查工作区；再做交流：电源视为交流地、耦合/旁路电容按目标频率处理，代入小信号模型求增益和阻抗。

核心公式与使用条件

  • 共射近似：$A_v\approx-g_m(R_C\parallel r_o\parallel R_L)$
  • 强退化近似：$A_v\approx-R_C/R_E$
  • 跟随器输出阻抗约为 $1/g_m$ 量级
  • 米勒输入电容：$C_{in}\approx C(1-A_v)$

公式默认采用理想或一阶模型。用于实际设计前，应补入器件容差、温度范围、频率依赖和数据手册保证值。

常见误区

  • 交流分析时忘记外部负载并联。
  • 为了高增益把静态点推到几乎没有摆幅余量。
  • 用中频增益估算高频响应而忽略米勒电容。

设计检查清单

  1. 先标出所有电压极性、电流方向与直流工作点。
  2. 验证器件处于假设的工作区，并检查输入/输出合规范围。
  3. 对最大、最小电源与温度角点重复计算。
  4. 计算功耗、噪声或带宽时写清单位和积分带宽。
  5. 用仿真或实验验证瞬态、稳定性及最坏容差。

配图

图 1：ADI 原教材图示

图 1：选自 ADI 原章节；请结合本章中文解释阅读。

图 2：ADI 原教材图示

图 2：选自 ADI 原章节；请结合本章中文解释阅读。

图 3：ADI 原教材图示

图 3：选自 ADI 原章节；请结合本章中文解释阅读。

图 4：ADI 原教材图示

图 4：选自 ADI 原章节；请结合本章中文解释阅读。

复习题

  1. 用自己的话说明“共射与共源”解决的核心问题。
  2. 针对“分析流程”，列出一个计算中必须检查的边界条件。
  3. 选取本章一幅图，沿信号或能量流向逐节点解释其工作过程。

来源与署名

  • 来源：ADI 原章节。
  • 原始教材及图片：Analog Devices, Inc.，用于非商业教育学习；保留 ADI 署名。
  • 本文中文讲解为重新组织的学习笔记；如与原文或最新数据手册不一致，以原始资料和器件数据手册为准。

原文逐句译读与注释按原站顺序

Chapter 9: Single Transistor Amplifier Stages:单管放大级

9.1 Basic Amplifiers本节译题：9.1 Basic Amplifiers

原句The term amplifier as used in this chapter means a circuit (or stage) using a single active device rather than a complete system such as an integrated circuit operational amplifier.
中文译读本句在说明本章范围：运算放大器；阅读时应把它当作本章学习路线，而不是孤立结论。
补充注释运算放大器：高增益差分放大器；闭环特性主要由反馈网络决定，但受带宽、失调、噪声和输出能力限制。。
原句An amplifier is a device for increasing the power of a signal.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句This is accomplished by taking energy from a power supply and controlling the output to duplicate the shape of the input signal but with a larger (voltage or current) amplitude.
中文译读可译为“但是/然而……”。本句在提醒限制或例外：即使涉及 电源，也不能无条件套用前一句结论。
补充注释电源：为电路提供能量；要同时考虑电压、电流、纹波、瞬态和保护。。
原句In this sense, an amplifier may be thought of as modulating the voltage or current of the power supply to produce its output.
中文译读逐句译读：这句话围绕 电源 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释电源：为电路提供能量；要同时考虑电压、电流、纹波、瞬态和保护。。
原句The basic amplifier, figure 9.1, has two ports and is characterized by its gain, input impedance and output impedance.
中文译读逐句译读：这句话围绕 阻抗 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释阻抗：交流中电压与电流的复数比，包含电阻和电抗。。
原句An ideal amplifier has infinite input impedance (R<sub>in</sub> = ∞), zero output impedance (R<sub>out</sub> = 0) and infinite gain (A<sub>vo</sub> = ∞) and infinite bandwidth if desired.
中文译读逐句译读：这句话围绕 阻抗、带宽 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释阻抗：交流中电压与电流的复数比，包含电阻和电抗。；带宽：满足指定增益/误差条件的频率范围。。

图片未下载：university:courses:electronics:text:chptr9-f1.png

原句Figure 9.1 Basic Amplifier Model
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句The transistor, as we have seen in the previous chapter, is a three-terminal device.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句Representing the basic amplifier as a two port network as in figure 9.1, there would need to be two input and two output terminals for a total of four.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句This means one of the transistor terminals must be common to both the input and output circuits.
中文译读可译为“必须/需要……”。这是约束条件，通常关系到 安全工作范围、精度或稳定性。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句This leads to the names common emitter, etc. for the three basic types of amplifiers.
中文译读逐句译读：这句话围绕 共射极 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释共射极：BJT 反相电压增益级，输入在基极、输出在集电极。。
原句The easiest way to determine if a device is connected as common emitter/source, common collector/drain, or common base/gate is to examine where the input signal enters and the output signal leaves.
中文译读逐句译读：这句话围绕 共射极、共基极 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释共射极：BJT 反相电压增益级，输入在基极、输出在集电极。；共基极：低输入阻抗、宽带电流输入级，可缓解米勒效应。。
原句The remaining terminal is what is thus common to both input and output.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句In this chapter we will primarily be using n-type transistors (NPN, NMOS) in the example circuits.
中文译读本句在说明本章范围：相关基础概念；阅读时应把它当作本章学习路线，而不是孤立结论。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句The same basic amplifier stages can just as easily be implemented using p-type transistors (PNP, PMOS).
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句When larger multi-stage amplifiers are assembled, both types of transistors are often interspersed with each other.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句Building-block amplifier stages:
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句Inverting voltage amplifier (also called Common emitter or Common source amplifier)\\
中文译读逐句译读：这句话围绕 共射极、共源极 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释共射极：BJT 反相电压增益级，输入在基极、输出在集电极。；共源极：MOSFET 反相电压增益级，输入在栅极、输出在漏极。。
原句Current Follower (also called Common base or Common gate or cascode)\\
中文译读逐句译读：这句话围绕 共射共基/共源共栅、共基极、共栅极 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释共射共基/共源共栅：通过固定下管端电压提高输出阻抗、带宽和增益，但消耗电压余量。；共基极：低输入阻抗、宽带电流输入级，可缓解米勒效应。；共栅极：低输入阻抗、宽带 MOS 电流输入级。。
原句Voltage Follower (also called Common collector or Common drain amplifier)\\
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句Series feedback (more commonly: emitter/source degeneration)\\
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句Shunt feedback
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。

9.2 The inverting voltage amplifier or Common emitter/source共射极

原句The common emitter/source amplifier is one of three basic single-stage amplifier topologies.
中文译读逐句译读：这句话围绕 共射极 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释共射极：BJT 反相电压增益级，输入在基极、输出在集电极。。
原句The BJT and MOS versions function as an inverting voltage amplifier and are shown in figure 9.2.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句The base or gate terminal of the transistor serves as the input, the collector or drain is the output, and the emitter or source is common to both input and output (it may be tied to the ground reference or the power supply rail), which gives rise to its common name.
中文译读逐句译读：这句话围绕 电源 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释电源：为电路提供能量；要同时考虑电压、电流、纹波、瞬态和保护。。

图片未下载：university:courses:electronics:text:chptr9-f2.png

原句Figure 9.2: Basic n-type inverting voltage amplifier circuit (neglecting biasing details)
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句The common emitter or source amplifier may be viewed as a transconductance amplifier (i.e. voltage in, current out) or as a voltage amplifier (voltage in, voltage out).
中文译读逐句译读：这句话围绕 共射极、跨导 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释共射极：BJT 反相电压增益级，输入在基极、输出在集电极。；跨导：输入电压变化引起输出电流变化的能力，常记为 gm。。
原句As a transconductance amplifier, the small signal input voltage, v<sub>be</sub> for a BJT or v<sub>gs</sub> for a FET, times the device transconductance g<sub>m</sub>, modulates the amount of current flowing through the transistor, i<sub>c</sub> or i<sub>d</sub>.
中文译读逐句译读：这句话围绕 跨导、小信号 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释跨导：输入电压变化引起输出电流变化的能力，常记为 gm。；小信号：在直流工作点附近线性化后的增量模型，只适合小扰动。。
原句By passing this varying current through the output load resistance, R<sub>L</sub> it will be converted back into a voltage V<sub>out</sub>.
中文译读逐句译读：这句话围绕 电阻 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释电阻：耗散能量并限制电流的元件参数。。
原句However, the transistor’s small signal output resistance, r<sub>o</sub>, is not typically high enough for a reasonable transconductance amplifier (ideally infinite).
中文译读可译为“但是/然而……”。本句在提醒限制或例外：即使涉及 跨导、输出电阻、小信号、电阻，也不能无条件套用前一句结论。
补充注释跨导：输入电压变化引起输出电流变化的能力，常记为 gm。；输出电阻：从输出端看进去的等效电阻，决定增益、负载效应和电流源理想程度。；小信号：在直流工作点附近线性化后的增量模型，只适合小扰动。；电阻：耗散能量并限制电流的元件参数。。
原句Nor is the output load, R<sub>L</sub>, low enough for a decent voltage amplifier (ideally zero).
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句Another major drawback is the amplifier’s limited high-frequency response due in part to the built in collector base or drain gate capacitance inherent to the transistor.
中文译读逐句译读：这句话围绕 电容、频率响应 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释电容：储存电荷的能力；阻抗随频率升高而降低。；频率响应：电路增益和相位随频率变化的关系。。
原句More on how this capacitance effects the frequency response in a later section of this chapter.
中文译读本句在说明本章范围：电容、频率响应；阅读时应把它当作本章学习路线，而不是孤立结论。
补充注释电容：储存电荷的能力；阻抗随频率升高而降低。；频率响应：电路增益和相位随频率变化的关系。。
原句Therefore, in practice the output often is routed through either a voltage follower (common collector or drain stage), or a current follower (common base or gate stage), to obtain more favorable output and frequency characteristics.
中文译读逐句译读：这句话围绕 共基极 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释共基极：低输入阻抗、宽带电流输入级，可缓解米勒效应。。
原句This latter combination is called a cascode amplifier as we will see later in the chapter on multi-stage amplifiers.
中文译读可译为“这种对象/现象称为……”。本句是在给 共射共基/共源共栅 下定义；后文遇到该词时要回到这个定义。
补充注释共射共基/共源共栅：通过固定下管端电压提高输出阻抗、带宽和增益，但消耗电压余量。。
原句In comparison to the BJT common emitter amplifier, the FET common source amplifier has higher input impedance.
中文译读逐句译读：这句话围绕 共射极、共源极、阻抗 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释共射极：BJT 反相电压增益级，输入在基极、输出在集电极。；共源极：MOSFET 反相电压增益级，输入在栅极、输出在漏极。；阻抗：交流中电压与电流的复数比，包含电阻和电抗。。
原句The generally lower g<sub>m</sub>of the FET vs. the BJT at equal current levels leads to lower voltage gain for the MOS version.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。

9.2.1 DC Bias techniques, common emitter/source共射极

原句In order for the common emitter or source amplifier to provide the largest output voltage swing, the voltage at the Base or Gate terminal of the transistor is offset in such a way that the transistor is nominally operating halfway between its cut-off and saturation points.
中文译读逐句译读：这句话围绕 共射极、饱和 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释共射极：BJT 反相电压增益级，输入在基极、输出在集电极。；饱和：不同器件上下文含义不同：BJT 饱和与 MOS 饱和不是一回事。。
原句Note the NMOS (a) and NPN (b) characteristic curves in figure 9.2.1.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句This allows the amplifier stage to more accurately reproduce the positive and negative halves of the input signal superimposed upon the DC Bias voltage.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句Without this offsetting Bias Voltage only the positive half of the input waveform would be amplified.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。

图片未下载：university:courses:electronics:text:chptr9-f3.png

原句(a) NMOS
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。

图片未下载：university:courses:electronics:text:chptr9-f4.png

原句(b) NPN
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句Figure 9.2.1 (a) I<sub>D</sub> vs.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句V<sub>DS</sub>curves and (b) I<sub>C</sub> vs.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句V<sub>CE</sub> curves
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句The red line superimposed on the two sets of curves represents the DC load line of a 400 ohm R<sub>L</sub>.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句To maximize the output swing it is desirable to set the operating point of the transistor, with a zero input signal, at a drain or collector voltage of one half the supply voltage, which would be 4 volts in this case.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句Finding the corresponding drain or collector current along the load line gives us the target current level.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句This is around 10mA for R<sub>L</sub> equal to 400 ohms.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句The next step is to determine the corresponding V<sub>GS</sub> or I<sub>B</sub> for a 10mA I<sub>D</sub> or I<sub>C</sub>.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句In the NMOS example each curve represents a different V<sub>GS</sub> from 0.9 volts to 1.5 volts in 0.1 volt steps.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句The NMOS device used in this example has a transconductance of about 40mA/V.
中文译读逐句译读：这句话围绕 跨导 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释跨导：输入电压变化引起输出电流变化的能力，常记为 gm。。
原句The I<sub>D</sub> equal to 10mA point on the load line falls between the 1.4V and 1.3V curves or a V<sub>GS</sub> of 1.32V.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句In the NPN example each curve represents a different I<sub>B</sub> from 10uA to 100uA in 10uA steps.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句The 50uA curve happens to cross the load line at I<sub>C</sub> =10mA.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句The β of the transistor must therefore be about 200.
中文译读可译为“必须/需要……”。这是约束条件，通常关系到 安全工作范围、精度或稳定性。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句The task now is to somehow provide this DC offset or bias at the Gate or Base of the transistor.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句The first bias technique we will explore is called voltage divider bias and is shown in figure 9.2.2.
中文译读可译为“这种对象/现象称为……”。本句是在给 一个术语 下定义；后文遇到该词时要回到这个定义。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句If we choose the correct resistor values for R<sub>1</sub> and R<sub>2</sub> that will result in a collector or drain current such that one half of the supply voltage, V+ appears across R<sub>L</sub> we should have our desired value of V<sub>GS</sub> or V<sub>BE</sub> (I<sub>B</sub>) for biasing with no signal input.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句For the MOS case we know that no current flows into the gate so the simple voltage divider ratio can be used to pick R<sub>1</sub> and R<sub>2</sub>.
中文译读可译为“它可用于/常用于……”。本句强调 该结构 的用途，设计时还要检查适用条件和限制。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句If V+ = 8V and we want V<sub>GS</sub> to equal 1.32 V then:
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。

图片未下载：university:courses:electronics:text:chptr9-e1.png

原句The actual values of R<sub>1</sub> and R<sub>2</sub> are not so important just their ratio.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句However, the divider ratio we choose will be correct for only one set of conditions of power supply voltage, transistor threshold voltage and transconductance, and temperature.
中文译读可译为“但是/然而……”。本句在提醒限制或例外：即使涉及 跨导、电源，也不能无条件套用前一句结论。
补充注释跨导：输入电压变化引起输出电流变化的能力，常记为 gm。；电源：为电路提供能量；要同时考虑电压、电流、纹波、瞬态和保护。。
原句Actual designs often use more involved bias schemes.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。

图片未下载：university:courses:electronics:text:chptr9-f5.png

原句Figure 9.2.2 Voltage divider bias
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句For the NPN case the calculation is somewhat more involved.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句We know we want I<sub>B</sub> to be equal to 50uA.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句The current that flows in R<sub>1</sub> is the sum of the current in R<sub>2</sub> and I<sub>B</sub> which puts an upper bound on R<sub>1</sub> when R<sub>2</sub> is infinite and no current flows in R<sub>2</sub>.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句If we assume a nominal V<sub>BE</sub> of 0.65 volts then R<sub>1</sub> must be no larger than 7.35V/50uA or 147KΩ.
中文译读可译为“必须/需要……”。这是约束条件，通常关系到 安全工作范围、精度或稳定性。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句The purpose of the voltage divider is to attenuate the variations in V+ and thus make the DC operating point of the transistor less sensitive to V+.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句To that end we need to make the current in R<sub>2</sub> many times larger than I<sub>B</sub>.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句If we, for example, choose to make I<sub>R2</sub> 9 times I<sub>B</sub> then the current in R<sub>1</sub> will be 10*I<sub>B</sub> or 500uA.
中文译读这是举例说明。例子的作用是把 前面的抽象概念 落到具体数值、器件或电路情形上。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句R<sub>1</sub> will be 1/10 what we just calculated as the upper bound or 14.7KΩ.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句R<sub>2</sub> will be V<sub>BE</sub> divided by 450uA or 1.444KΩ which is a divider ratio of 0.8921.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句If we had simply used 8V-V<sub>BE</sub>/8V as the ratio (assume V<sub>BE</sub> = 0.65V) the divider ratio would have been 0.8125.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句Taking I<sub>B</sub> into account shifted the required ratio.
中文译读可译为“必须/需要……”。这是约束条件，通常关系到 安全工作范围、精度或稳定性。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句These values would need to be adjusted slightly if the actual V<sub>BE</sub> was not the 0.65 volts (or β was not 200) we used in this calculation.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句This points out a major limitation of this bias scheme as we pointed out in the MOS example above.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句That is the sensitivity to device specific characteristics like V<sub>BE</sub> and β as well as supply voltage and temperature.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句A consequence of including this bias scheme is a lowering of the input impedance.
中文译读逐句译读：这句话围绕 阻抗 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释阻抗：交流中电压与电流的复数比，包含电阻和电抗。。
原句The input now includes the parallel combination of R<sub>1</sub> and R<sub>2</sub> across the input.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句For the MOS case this now sets the input resistance.
中文译读逐句译读：这句话围绕 电阻 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释电阻：耗散能量并限制电流的元件参数。。
原句For the BJT case we now have R<sub>1</sub>||R<sub>2</sub>||r<sub>π</sub> as the effective input resistance.
中文译读逐句译读：这句话围绕 电阻 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释电阻：耗散能量并限制电流的元件参数。。
原句There is another minor inconvenient problem with this bias scheme when it is connected to a prior stage in the signal path.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句This bias configuration places the AC input signal source directly in parallel with R<sub>2</sub> of the voltage divider.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句This may not be acceptable, as the input source may tend to add or subtract from the DC voltage dropped across R<sub>2</sub>.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句One way to make this scheme work, although it may not be obvious why it will work, is to place a coupling capacitor between the input voltage source and the voltage divider as in figure 9.2.3 below.
中文译读可译为“但是/然而……”。本句在提醒限制或例外：即使涉及 上述概念，也不能无条件套用前一句结论。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。

图片未下载：university:courses:electronics:text:chptr9-f6.png

原句Figure 9.2.3 Coupling capacitor C<sub>C</sub> prevents voltage divider bias current from flowing into the input signal source.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句The capacitor forms a high-pass filter between the input source and the DC voltage divider, passing almost the entire AC portion of the input signal on to the transistor while blocking all the DC bias voltage from being shorted through the input signal source.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句This makes much more sense if you understand the superposition theorem and how it works.
中文译读逐句译读：这句话围绕 叠加定理 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释叠加定理：线性网络中可分别计算各独立源贡献后相加，但功率不能直接叠加。。
原句According to superposition, any linear, bilateral circuit can be analyzed in a piecemeal fashion by only considering one power source at a time, then algebraically adding the effects of all power sources to find the final result.
中文译读逐句译读：这句话围绕 叠加定理 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释叠加定理：线性网络中可分别计算各独立源贡献后相加，但功率不能直接叠加。。
原句If we were to separate the capacitor and the R<sub>1</sub>/R<sub>2</sub>voltage divider circuit from the rest of the amplifier, it might be easier to understand how this superposition of AC and DC would work.
中文译读逐句译读：这句话围绕 叠加定理 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释叠加定理：线性网络中可分别计算各独立源贡献后相加，但功率不能直接叠加。。
原句With only the AC signal source in effect, and a capacitor with an arbitrarily low impedance at the input signal frequency, almost all the AC voltage appears across R<sub>2</sub>.
中文译读逐句译读：这句话围绕 阻抗 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释阻抗：交流中电压与电流的复数比，包含电阻和电抗。。

9.2.2 Small signal voltage gain, common emitter or source共射极 / 小信号

原句To calculate the small signal voltage gain of the common emitter or source amplifier we need to insert a small signal model of the transistor into the circuit.
中文译读逐句译读：这句话围绕 共射极、小信号 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释共射极：BJT 反相电压增益级，输入在基极、输出在集电极。；小信号：在直流工作点附近线性化后的增量模型，只适合小扰动。。
原句The small signal models of the BJT and MOS FET are actually very similar so the gain calculation for either version is much the same.
中文译读逐句译读：这句话围绕 小信号 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释小信号：在直流工作点附近线性化后的增量模型，只适合小扰动。。
原句The small signal hybrid-π models for the BJT and MOS amplifiers are shown in figure 9.2.4.
中文译读逐句译读：这句话围绕 小信号 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释小信号：在直流工作点附近线性化后的增量模型，只适合小扰动。。

图片未下载：university:courses:electronics:text:chptr9-f7.png

原句Figure 9.2.4 Common emitter or source small signal models.
中文译读逐句译读：这句话围绕 共射极、小信号 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释共射极：BJT 反相电压增益级，输入在基极、输出在集电极。；小信号：在直流工作点附近线性化后的增量模型，只适合小扰动。。
原句The following are some of the key model equations we will need to calculate the amplifier stage voltage gain.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句These equations are used for the other amplifier configurations that we will discuss in following sections as well.
中文译读可译为“它可用于/常用于……”。本句强调 该结构 的用途，设计时还要检查适用条件和限制。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句(BJT) (MOS)
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。

图片未下载：university:courses:electronics:text:chptr9-e4.png

图片未下载：university:courses:electronics:text:chptr9-e5.png

原句The small signal voltage gain A<sub>v</sub> is the ratio of the input voltage to the output voltage:
中文译读逐句译读：这句话围绕 小信号 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释小信号：在直流工作点附近线性化后的增量模型，只适合小扰动。。

图片未下载：university:courses:electronics:text:chptr9-e6.png

原句The input voltage V<sub>in</sub> (v<sub>be</sub> for the BJT and v<sub>gs</sub> for the MOS) times the transconductance g<sub>m</sub> is equal to the small signal output current, i<sub>o</sub> in the collector or drain.
中文译读可译为“二者相等/代数关系成立”。这里的核心量是 跨导、小信号，使用时要先统一参考方向和符号。
补充注释跨导：输入电压变化引起输出电流变化的能力，常记为 gm。；小信号：在直流工作点附近线性化后的增量模型，只适合小扰动。。
原句V<sub>out</sub> will be simply this current times the load resistance R<sub>L,</sub>neglecting the small signal output resistance r<sub>o</sub> for the moment.
中文译读逐句译读：这句话围绕 输出电阻、小信号、电阻 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释输出电阻：从输出端看进去的等效电阻，决定增益、负载效应和电流源理想程度。；小信号：在直流工作点附近线性化后的增量模型，只适合小扰动。；电阻：耗散能量并限制电流的元件参数。。
原句Notice the minus sign because of the direction of the current i<sub>o</sub>.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。

图片未下载：university:courses:electronics:text:chptr9-e7.png

原句Rearranging for the gain we get:
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。

图片未下载：university:courses:electronics:text:chptr9-e8.png

原句Substituting the BJT and MOS g<sub>m</sub> equations we get:
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句(BJT) (MOS)
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句Comparing these two gain equations we see that they both depend on the DC collector or drain currents.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句The BJT gain is inversely proportional to V<sub>T</sub> (the Thermal Voltage) which is approximately 26mV at room temperature.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句The Thermal Voltage, V<sub>T</sub> increases with increasing temperature so from the equation we see that the gain will actually decrease with increasing temperature.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句The MOS gain is inversely proportional to the over drive voltage, V<sub>ov</sub> (V<sub>GS</sub> – V<sub>th</sub>) which is often much larger than V<sub>T</sub> at similar drain currents leading to the lower gain for the MOS stage vs. the BJT stage for approximately equal bias currents.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句If R<sub>L</sub> is relatively large when compared to the small signal output resistance then the gain will be reduced because the actual output load is the parallel combination of R<sub>L</sub> and r<sub>o</sub>.
中文译读逐句译读：这句话围绕 输出电阻、小信号、电阻 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释输出电阻：从输出端看进去的等效电阻，决定增益、负载效应和电流源理想程度。；小信号：在直流工作点附近线性化后的增量模型，只适合小扰动。；电阻：耗散能量并限制电流的元件参数。。
原句In fact r<sub>o</sub> puts an upper bound on the possible gain that can be achieved with a single transistor amplifier stage.
中文译读逐句译读：这句话围绕 单管放大级 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释单管放大级：用一个 BJT 或 MOSFET 形成基本增益级、缓冲级或电流输入级。。

9.2.3 Small signal input impedance, common emitter or source共射极 / 小信号 / 阻抗

原句Again looking at the small signal models in figure 9.2.4 we see that for the BJT case the input V<sub>in</sub> will see r<sub>π</sub> as a load.
中文译读逐句译读：这句话围绕 小信号 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释小信号：在直流工作点附近线性化后的增量模型，只适合小扰动。。
原句For the MOS case V<sub>in</sub> will see basically an open circuit (for low frequencies anyway).
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句This will of course be the case absent any Gate or Base bias circuitry.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。

9.2.4 Small signal output impedance, common emitter or source共射极 / 小信号 / 阻抗

原句Again looking at the small signal models in figure 9.2.4 we see that for both the BJT case and the MOS case the output impedance is the parallel combination of R<sub>L</sub> and r<sub>o</sub>.
中文译读逐句译读：这句话围绕 小信号、阻抗 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释小信号：在直流工作点附近线性化后的增量模型，只适合小扰动。；阻抗：交流中电压与电流的复数比，包含电阻和电抗。。
原句For most practical applications we can ignore r<sub>o</sub> because it is very often much larger than R<sub>L</sub>.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句Below are the BJT and MOS r<sub>o</sub> equations.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句(BJT) (MOS)
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。

9.2.5 common emitter and source Lab Activities共射极

原句ADALM1000 Lab Activity 5, Common emitter amplifier\\ ADALM1000 Lab Activity 5M, Common source amplifier
中文译读逐句译读：这句话围绕 共射极、共源极 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释共射极：BJT 反相电压增益级，输入在基极、输出在集电极。；共源极：MOSFET 反相电压增益级，输入在栅极、输出在漏极。。
原句ADALM2000 Lab Activity 5, Common emitter amplifier\\ ADALM2000 Lab Activity 5M, Common source amplifier\\ ADALM2000 Lab Activity 5FR, Amplifier Frequency Response
中文译读逐句译读：这句话围绕 共射极、共源极、频率响应 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释共射极：BJT 反相电压增益级，输入在基极、输出在集电极。；共源极：MOSFET 反相电压增益级，输入在栅极、输出在漏极。；频率响应：电路增益和相位随频率变化的关系。。

9.3 The Current Follower also known as Common base or gate amplifier共基极

原句The Current Follower or Common base/gate amplifier has a high voltage gain, relatively low input impedance and high output impedance compared to the voltage follower or common collector/drain amplifier.
中文译读逐句译读：这句话围绕 共基极、阻抗 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释共基极：低输入阻抗、宽带电流输入级，可缓解米勒效应。；阻抗：交流中电压与电流的复数比，包含电阻和电抗。。
原句The BJT and MOS versions are shown in figure 9.3
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。

图片未下载：university:courses:electronics:text:chptr9-f8.png

原句Figure 9.3: Basic n-type current follower or common base/gate circuit (neglecting biasing details)
中文译读逐句译读：这句话围绕 共基极 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释共基极：低输入阻抗、宽带电流输入级，可缓解米勒效应。。

9.3.1 DC Biasing techniques, current follower or common base/gate amplifier共基极

原句In applications where only a positive power supply voltage is provided some means of providing the necessary DC voltage level for the common gate or base terminal is required.
中文译读可译为“必须/需要……”。这是约束条件，通常关系到 共栅极、电源。
补充注释共栅极：低输入阻抗、宽带 MOS 电流输入级。；电源：为电路提供能量；要同时考虑电压、电流、纹波、瞬态和保护。。
原句This might be as simple as a voltage divider between ground and the supply.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句In applications where both positive and negative supply voltages are available, ground is a convenient node to use for the common gate or base terminal.
中文译读逐句译读：这句话围绕 共栅极 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释共栅极：低输入阻抗、宽带 MOS 电流输入级。。
原句The common gate or base stage is most often used in combination with the common emitter or source amplifier in what is known as the cascode configuration.
中文译读可译为“这种对象/现象称为……”。本句是在给 共射共基/共源共栅、共射极、共栅极 下定义；后文遇到该词时要回到这个定义。
补充注释共射共基/共源共栅：通过固定下管端电压提高输出阻抗、带宽和增益，但消耗电压余量。；共射极：BJT 反相电压增益级，输入在基极、输出在集电极。；共栅极：低输入阻抗、宽带 MOS 电流输入级。。
原句The cascode will be covered in the next chapter on multi stage amplifiers in greater detail.
中文译读逐句译读：这句话围绕 共射共基/共源共栅 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释共射共基/共源共栅：通过固定下管端电压提高输出阻抗、带宽和增益，但消耗电压余量。。

9.3.2 Small signal voltage gain, current follower or common base/gate amplifier共基极 / 小信号

原句To calculate the small signal voltage gain of the common base or gate amplifier we insert the small signal model of the transistor into the circuit.
中文译读逐句译读：这句话围绕 共基极、小信号 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释共基极：低输入阻抗、宽带电流输入级，可缓解米勒效应。；小信号：在直流工作点附近线性化后的增量模型，只适合小扰动。。
原句The small signal models for the BJT and MOS amplifiers are shown in figure 9.3.1.
中文译读逐句译读：这句话围绕 小信号 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释小信号：在直流工作点附近线性化后的增量模型，只适合小扰动。。

图片未下载：university:courses:electronics:text:chptr9-f9.png

原句Figure 9.3.1 Current follower or Common base/gate small signal models.
中文译读逐句译读：这句话围绕 共基极、小信号 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释共基极：低输入阻抗、宽带电流输入级，可缓解米勒效应。；小信号：在直流工作点附近线性化后的增量模型，只适合小扰动。。
原句Much like in the common emitter/source amplifier stage the small signal input voltage, V<sub>in</sub> (v<sub>be</sub> for the BJT and v<sub>gs</sub> for the MOS) times the transconductance g<sub>m</sub> is equal to the small signal output current, i<sub>o</sub> in the collector or drain.
中文译读可译为“二者相等/代数关系成立”。这里的核心量是 共射极、跨导、小信号，使用时要先统一参考方向和符号。
补充注释共射极：BJT 反相电压增益级，输入在基极、输出在集电极。；跨导：输入电压变化引起输出电流变化的能力，常记为 gm。；小信号：在直流工作点附近线性化后的增量模型，只适合小扰动。。
原句V<sub>out</sub> will be simply this current times the load resistance R<sub>L,</sub>neglecting the small signal output resistance r<sub>o</sub> for the moment.
中文译读逐句译读：这句话围绕 输出电阻、小信号、电阻 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释输出电阻：从输出端看进去的等效电阻，决定增益、负载效应和电流源理想程度。；小信号：在直流工作点附近线性化后的增量模型，只适合小扰动。；电阻：耗散能量并限制电流的元件参数。。
原句It is perhaps more useful to consider the current gain of the current follower stage rather than its voltage gain.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句In the case of the MOS version we know that I<sub>S</sub> = I<sub>D</sub>because I<sub>G</sub>= 0.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句Thus the MOS stage current gain is exactly 1.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句In the case of the BJT version we know that the ratio of I<sub>C</sub> to I<sub>E</sub>is equal to α and thus will be slightly less than 1.
中文译读可译为“二者相等/代数关系成立”。这里的核心量是 等式两边的电路量，使用时要先统一参考方向和符号。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。

9.3.3 Input impedance, current follower or common base/gate amplifier共基极 / 阻抗

原句Again looking at the small signal models in figure 9.3.1 we see that for the BJT case the input V<sub>in</sub> will see r<sub>π</sub>in parallel with the series combination of g<sub>m</sub> and R<sub>L</sub> as a load.
中文译读逐句译读：这句话围绕 小信号 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释小信号：在直流工作点附近线性化后的增量模型，只适合小扰动。。
原句For the MOS case V<sub>in</sub> will see basically just the series combination of g<sub>m</sub> and R<sub>L</sub>.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句The equation below (from the BJT small signal T model) relates g<sub>m</sub> and the resistance seen at the emitter r<sub>E</sub>.
中文译读逐句译读：这句话围绕 小信号、电阻 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释小信号：在直流工作点附近线性化后的增量模型，只适合小扰动。；电阻：耗散能量并限制电流的元件参数。。
原句We can also use this relationship to give us the resistance seen at the source r<sub>S</sub>.
中文译读逐句译读：这句话围绕 电阻 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释电阻：耗散能量并限制电流的元件参数。。

图片未下载：university:courses:electronics:text:chptr9-e13.png

原句(also r<sub>S</sub> for MOS)
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句It is also important to note here that 100% (neglecting I<sub>B</sub> in the BJT case) of the current from the input source flows through the transistor and becomes the output current.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句Thus the name current follower.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。

9.3.4 Output impedance, current follower or common base/gate amplifier共基极 / 阻抗

原句Again looking at the small signal models in figure 9.3.1 we see that for both the BJT case and the MOS case the output impedance is the parallel combination of R<sub>L</sub> and r<sub>o</sub>.
中文译读逐句译读：这句话围绕 小信号、阻抗 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释小信号：在直流工作点附近线性化后的增量模型，只适合小扰动。；阻抗：交流中电压与电流的复数比，包含电阻和电抗。。
原句We can generally assume this is true if we consider that V<sub>in</sub> is driven from a low impedance (nearly ideal) voltage source.
中文译读逐句译读：这句话围绕 阻抗 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释阻抗：交流中电压与电流的复数比，包含电阻和电抗。。
原句If this is not the case then the finite output impedance must be added in series with r<sub>o</sub>.
中文译读可译为“必须/需要……”。这是约束条件，通常关系到 阻抗。
补充注释阻抗：交流中电压与电流的复数比，包含电阻和电抗。。
原句If the input of the current follower is driven by the relatively high output impedance of a transconductance amplifier such as the common emitter or source amplifier from earlier then the output impedance for the combined amplifier can be very high.
中文译读逐句译读：这句话围绕 共射极、跨导、阻抗 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释共射极：BJT 反相电压增益级，输入在基极、输出在集电极。；跨导：输入电压变化引起输出电流变化的能力，常记为 gm。；阻抗：交流中电压与电流的复数比，包含电阻和电抗。。
原句For most practical applications we can ignore r<sub>o</sub> because it is very often much larger than R<sub>L</sub>.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句ADALM1000 Lab Activity, BJT Common Base Amplifier\\ ADALM1000 Lab Activity, BJT Common Gate Amplifier\\ ADALM1000 Lab Activity, Folded Cascode Amplifier
中文译读逐句译读：这句话围绕 共射共基/共源共栅、折叠共射共基/折叠共源共栅、共基极、共栅极 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释共射共基/共源共栅：通过固定下管端电压提高输出阻抗、带宽和增益，但消耗电压余量。；折叠共射共基/折叠共源共栅：把信号电流折到另一电源轨，常用于改善输入共模范围和电压余量。；共基极：低输入阻抗、宽带电流输入级，可缓解米勒效应。；共栅极：低输入阻抗、宽带 MOS 电流输入级。。

9.4 Voltage followers (also called Emitter or Source follower or Common collector or drain amplifiers)源极跟随器

原句The Emitter or Source follower is often called a common Collector or Drain amplifier because the collector or drain is common to both the input and the output.
中文译读逐句译读：这句话围绕 源极跟随器 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释源极跟随器：MOS 缓冲级，输出大约跟随栅极电压但差一个 VGS。。
原句This amplifier configuration, figure 9.4, has its output taken from the emitter/source resistor and is useful as an impedance matching device since its input impedance is much higher than its output impedance.
中文译读逐句译读：这句话围绕 阻抗 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释阻抗：交流中电压与电流的复数比，包含电阻和电抗。。
原句The voltage follower is also termed a "buffer" for this reason.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。

图片未下载：university:courses:electronics:text:chptr9-f10.png

原句Figure 9.4:Basic n-type Voltage follower or common collector/drain circuit (neglecting biasing details)
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句The gain of the voltage follower is always less than one since r<sub>E</sub>and R<sub>L</sub>or r<sub>S</sub> and R<sub>L</sub> form a voltage divider.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句The input to output offset is set by the V<sub>BE</sub> drop of about 0.65 volts below the base for the BJT and V<sub>GS</sub> below the gate for the MOS.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句This configuration’s function is not voltage gain but current or power gain and impedance matching.
中文译读可译为“但是/然而……”。本句在提醒限制或例外：即使涉及 阻抗，也不能无条件套用前一句结论。
补充注释阻抗：交流中电压与电流的复数比，包含电阻和电抗。。
原句The input impedance is much higher than its output impedance so that a signal source does not have to supply as much power to the input.
中文译读可译为“必须/需要……”。这是约束条件，通常关系到 阻抗。
补充注释阻抗：交流中电压与电流的复数比，包含电阻和电抗。。
原句This can be seen from the fact that the base current is on the order of 100 times (β) less than the emitter current.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句The low output impedance of the emitter follower matches a low impedance load and buffers the signal source from that low impedance.
中文译读逐句译读：这句话围绕 射极跟随器、阻抗 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释射极跟随器：电压增益接近 1，但输入阻抗高、输出阻抗低，常作缓冲。；阻抗：交流中电压与电流的复数比，包含电阻和电抗。。

9.4.1 DC Biasing techniques, Voltage Follower or common collector/drain amplifier本节译题：9.4.1 DC Biasing techniques, Voltage Follower or common collector/drain amplifier

原句The collector/source current is basically determined by the emitter/source resistor so the main design variables in this case is simply R<sub>L</sub> and the power supply voltage.
中文译读逐句译读：这句话围绕 电源 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释电源：为电路提供能量；要同时考虑电压、电流、纹波、瞬态和保护。。

9.4.2 Voltage gain, common collector or drain amplifier本节译题：9.4.2 Voltage gain, common collector or drain amplifier

原句To calculate the small signal voltage gain of the voltage follower configuration we insert the small signal model of the transistor into the circuit.
中文译读逐句译读：这句话围绕 小信号 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释小信号：在直流工作点附近线性化后的增量模型，只适合小扰动。。
原句The small signal models for the BJT and MOS amplifiers are shown in figure 9.4.1.
中文译读逐句译读：这句话围绕 小信号 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释小信号：在直流工作点附近线性化后的增量模型，只适合小扰动。。

图片未下载：university:courses:electronics:text:chptr9-f11.png

原句Figure 9.4.1 Voltage Follower small signal models.
中文译读逐句译读：这句话围绕 小信号 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释小信号：在直流工作点附近线性化后的增量模型，只适合小扰动。。

图片未下载：university:courses:electronics:text:chptr9-e14.png

Example 9.4.2 Calculating the Voltage Gain本节译题：Example 9.4.2 Calculating the Voltage Gain

原句For the circuit in figure 9.4.2 calculate the voltage gain A<sub>V</sub> = V<sub>out</sub>/V<sub>in</sub>.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。

图片未下载：university:courses:electronics:text:chptr9-f12.png

原句Figure 9.4.2 BJT Voltage gain example
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句To use the voltage gain formula we just obtained using the small signal models we need to first calculate r<sub>E</sub>.
中文译读逐句译读：这句话围绕 小信号 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释小信号：在直流工作点附近线性化后的增量模型，只适合小扰动。。
原句From section 9.3.3 we are given the equation for r<sub>E</sub>:
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。

图片未下载：university:courses:electronics:text:chptr9-e13.png

原句To use this formula we need to know I<sub>E</sub>.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句We know that the voltage across R<sub>L</sub> is V<sub>out</sub>.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句We also know that V<sub>out</sub> = V<sub>in</sub> - V<sub>BE</sub>.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句If we use an estimate of V<sub>BE</sub> to be 0.6 volts, we get V<sub>out</sub> = 5.6 - 0.6 or 5 volts.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句If R<sub>L</sub> is 1KΩ then I<sub>E</sub> is 5mA.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句Using a room temperature value for V<sub>T</sub> = 25mV, we get r<sub>E</sub> is equal to 5Ω.
中文译读可译为“二者相等/代数关系成立”。这里的核心量是 等式两边的电路量，使用时要先统一参考方向和符号。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句Substituting these values into our gain equation we get:
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。

图片未下载：university:courses:electronics:text:chptr9-e15.png

9.4.3 Input impedance, Voltage Follower (common collector or drain)阻抗

原句(BJT)
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。

9.4.4 Output impedance, Voltage Follower (common collector or drain)阻抗

原句The output impedance is simple the parallel combination of the Emitter (Source) resistor R<sub>L</sub> and the small signal emitter (source) resistance of the transistor r<sub>E</sub>.
中文译读逐句译读：这句话围绕 小信号、阻抗、电阻 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释小信号：在直流工作点附近线性化后的增量模型，只适合小扰动。；阻抗：交流中电压与电流的复数比，包含电阻和电抗。；电阻：耗散能量并限制电流的元件参数。。
原句Again from section 9.3.3, the equation for r<sub>E</sub> is as follows:
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。

图片未下载：university:courses:electronics:text:chptr9-e13.png

原句Similarly, the small signal source resistance, r<sub>S</sub>, for a MOS FET is 1/g<sub>m</sub>.
中文译读逐句译读：这句话围绕 小信号、电阻 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释小信号：在直流工作点附近线性化后的增量模型，只适合小扰动。；电阻：耗散能量并限制电流的元件参数。。
原句Referring back to our gain example in figure 9.4.2, we can also calculate the output resistance, which will be the parallel combination of the 1KΩ R<sub>L</sub> and the 3Ω r<sub>E</sub> or 2.99Ω.
中文译读逐句译读：这句话围绕 输出电阻、电阻 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释输出电阻：从输出端看进去的等效电阻，决定增益、负载效应和电流源理想程度。；电阻：耗散能量并限制电流的元件参数。。

9.4.5 Voltage Follower (common collector or drain) Lab Activities本节译题：9.4.5 Voltage Follower (common collector or drain) Lab Activities

原句ADALM1000 Lab Activity 11, BJT Emitter follower\\ ADALM1000 Lab Activity 11M, MOS Source follower
中文译读逐句译读：这句话围绕 射极跟随器、源极跟随器 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释射极跟随器：电压增益接近 1，但输入阻抗高、输出阻抗低，常作缓冲。；源极跟随器：MOS 缓冲级，输出大约跟随栅极电压但差一个 VGS。。
原句ADALM2000 Lab Activity 11, BJT Emitter follower\\ ADALM2000 Lab Activity 11m, MOS Source follower
中文译读逐句译读：这句话围绕 射极跟随器、源极跟随器 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释射极跟随器：电压增益接近 1，但输入阻抗高、输出阻抗低，常作缓冲。；源极跟随器：MOS 缓冲级，输出大约跟随栅极电压但差一个 VGS。。

9.5 Series Feedback: emitter/source degeneration本节译题：9.5 Series Feedback: emitter/source degeneration

原句Common emitter/source amplifiers give the amplifier an inverted output and can have a very high gain and can vary widely from one transistor to the next.
中文译读逐句译读：这句话围绕 共射极 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释共射极：BJT 反相电压增益级，输入在基极、输出在集电极。。
原句The gain is a strong function of both temperature and bias current, and so the actual gain is somewhat unpredictable.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句Stability is another problem associated with such high gain circuits due to any unintentional positive feedback that may be present.
中文译读逐句译读：这句话围绕 正反馈、稳定性 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释正反馈：反馈信号强化输入误差，常用于比较器迟滞或振荡器；线性放大中要谨慎。；稳定性：反馈电路不会自激振荡并具有足够瞬态裕量。。
原句Other problems associated with the circuit are the low input dynamic range imposed by the small-signal limit; there is high distortion if this limit is exceeded and the transistor ceases to behave like its small-signal model.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句When negative feedback is introduced, many of these problems are reduced, resulting in improved performance.
中文译读逐句译读：这句话围绕 负反馈 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释负反馈：把输出的一部分送回输入以减小误差、稳定增益、改善线性度，但会牺牲部分开环增益。。
原句There are several ways to introduce feedback in this simple amplifier stage, the easiest and most reliable of which is accomplished by introducing a small value resistor in the emitter circuit (R<sub>E</sub>).
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句This is also referred to as series feedback.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句The amount of feedback is dependent on the relative signal level dropped across this resistor.
中文译读可译为“结果取决于……”。关键依赖项是 文中列出的参数，不能只看单一典型值。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句The signal seen across R<sub>E</sub> is out of phase with the signal seen at V<sub>out</sub> and thus subtracts from V<sub>out</sub> reducing its amplitude.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句When the emitter resistor value approaches that of the collector load resistor (R<sub>L</sub>), the gain will approach unity (A<sub>v</sub> ~ 1).
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。

图片未下载：university:courses:electronics:text:chptr9-f16.png

原句Figure 9.5: Adding an emitter/source resistor decreases gain.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句However, with increased linearity and stability
中文译读可译为“但是/然而……”。本句在提醒限制或例外：即使涉及 稳定性，也不能无条件套用前一句结论。
补充注释稳定性：反馈电路不会自激振荡并具有足够瞬态裕量。。
原句It is much less common to include a degeneration resistor in MOS designs.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句This is because, in microelectronic integrated circuits, the gain (g<sub>m</sub>) of the device can be adjusted by changing the W/L ratio.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句This degree of design freedom is not generally available in Bipolar (BJT) processes.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句DC Biasing example with emitter degeneration
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句There are some BJT biasing rules of thumb:
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句1. Set I<sub>E</sub> not I<sub>B</sub> or V<sub>BE</sub> : less dependence on β and temperature (V<sub>T</sub>)\\ 2.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句Allow 1/3V<sub>CC</sub> across R<sub>C</sub>, V<sub>CE</sub> and R<sub>B2</sub>\\ 3.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句Save power by allowing only 10% of I<sub>E</sub> in R<sub>B</sub>
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句We are given the following for circuit in figure 9.5.1, V<sub>CC</sub> = 20V ; I<sub>E</sub> = 2mA ; β = 100.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句From our rules of thumb we set V<sub>B</sub> = 1/3*V<sub>CC</sub> = 6.7 V.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。

图片未下载：university:courses:electronics:text:chptr9-f17.png

原句Figure 9.5.1 DC Biasing example
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句V<sub>B</sub> = (R<sub>B2</sub>/(R<sub>B1</sub>+R<sub>B2</sub>))*V<sub>CC</sub> => 6.7V = (R<sub>B2</sub>/(R<sub>B1</sub>+R<sub>B2</sub>))*20 (1)
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句V<sub>CC</sub> /(R<sub>B1</sub> + R<sub>B2</sub> ) = 0.1*I<sub>E</sub> => 20/(R<sub>B1</sub> + R<sub>B2</sub>) = 200 µA (2)
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句Solving equations (1) and (2) we get:
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句R<sub>B1</sub>=2R<sub>B2</sub> then from (2)
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句3R<sub>B2</sub> = 20/200 µA = 100kΩ
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句So, R<sub>B2</sub> = 33kΩ and R<sub>B1</sub> = 66kΩ
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句Now we have V<sub>E</sub> = V<sub>B</sub> – V<sub>BE</sub> = 6.7 – 0.7 = 6 V and I<sub>E</sub> is 2 mA: R<sub>E</sub> = V<sub>E</sub>/I<sub>E</sub> = 6/2mA = 3kΩ.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句I<sub>C</sub> = (β/(β+1))*I<sub>E</sub> = (100/101)*2mA = 1.98 mA and I<sub>B</sub> = I<sub>C</sub>/β = 1.98mA/100 = 19.8µA.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句From our rules of thumb we know that V<sub>C</sub> = 2/3*20V = 13.3 V
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句So to find R<sub>L</sub> we have: R<sub>L</sub> = (V<sub>CC</sub> – V<sub>C</sub>)/I<sub>C</sub> = (20 – 13.3)/1.98mA = 3.4kΩ
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。

9.5.1 Small signal voltage gain with emitter/source degeneration小信号

原句To calculate the small signal voltage gain of the common emitter/source amplifier with the addition of emitter/source degeneration we again insert the small signal model of the transistor into the circuit.
中文译读逐句译读：这句话围绕 共射极、小信号 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释共射极：BJT 反相电压增益级，输入在基极、输出在集电极。；小信号：在直流工作点附近线性化后的增量模型，只适合小扰动。。
原句The small signal models for the BJT and MOS amplifiers are shown in figure 9.5.1.
中文译读逐句译读：这句话围绕 小信号 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释小信号：在直流工作点附近线性化后的增量模型，只适合小扰动。。

图片未下载：university:courses:electronics:text:chptr9-f18.png

原句Figure 9.5.1 Common emitter/source with degeneration
中文译读逐句译读：这句话围绕 共射极 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释共射极：BJT 反相电压增益级，输入在基极、输出在集电极。。
原句The impedance R<sub>E</sub> reduces the overall transconductance g<sub>m</sub> of the circuit by a factor of g<sub>m</sub>R<sub>E</sub> + 1, which makes the voltage gain:
中文译读逐句译读：这句话围绕 跨导、阻抗 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释跨导：输入电压变化引起输出电流变化的能力，常记为 gm。；阻抗：交流中电压与电流的复数比，包含电阻和电抗。。

图片未下载：university:courses:electronics:text:chptr9-e17.png

原句(when g<sub>m</sub>R<sub>E</sub> >> 1)
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句So the voltage gain depends almost exclusively on the ratio of the resistors R<sub>L</sub> / R<sub>E</sub> rather than the transistor’s intrinsic and unpredictable characteristics.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句The distortion and stability characteristics of the circuit are thus improved at the expense of a reduction in gain.
中文译读逐句译读：这句话围绕 稳定性 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释稳定性：反馈电路不会自激振荡并具有足够瞬态裕量。。
原句Going back to our earlier biasing example, figure 9.5.1, values for I<sub>C</sub> = 2mA, R<sub>L</sub> = 3.4KΩ and R<sub>E</sub> = 3KΩ to calculate the small signal gain we first find g<sub>m</sub> = I<sub>C</sub>/V<sub>T</sub> = 2mA/25mV = 0.08.
中文译读逐句译读：这句话围绕 小信号 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释小信号：在直流工作点附近线性化后的增量模型，只适合小扰动。。
原句Using our formula for A<sub>V</sub>:
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。

图片未下载：university:courses:electronics:text:chptr9-e18.png

9.5.2 Small signal input impedance with emitter/source degeneration小信号 / 阻抗

原句Again looking at the small signal models in figure 9.4.1 we see that for the BJT case the input V<sub>in</sub> see r<sub></sub>in series with degeneration resistor R<sub>E</sub> as a load.
中文译读逐句译读：这句话围绕 小信号 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释小信号：在直流工作点附近线性化后的增量模型，只适合小扰动。。
原句For the MOS case V<sub>in</sub> see basically an open circuit.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。

图片未下载：university:courses:electronics:text:chptr9-e19.png

9.5.3 Small signal output impedance with emitter/source degeneration小信号 / 阻抗

原句Again looking at the small signal models in figure 9.5.1 we see that for both the BJT case and the MOS case, much like in the earlier common emitter/source stage, the output impedance is the parallel combination of R<sub>L</sub> and r<sub>o</sub> but now degeneration resistor R<sub>E</sub> is in series with r<sub>o</sub>.
中文译读可译为“但是/然而……”。本句在提醒限制或例外：即使涉及 共射极、小信号、阻抗，也不能无条件套用前一句结论。
补充注释共射极：BJT 反相电压增益级，输入在基极、输出在集电极。；小信号：在直流工作点附近线性化后的增量模型，只适合小扰动。；阻抗：交流中电压与电流的复数比，包含电阻和电抗。。
原句For most practical applications we can ignore r<sub>o</sub> because it is very often much larger than R<sub>L</sub>.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。

9.5.4 DC Biasing techniques with emitter/source degeneration本节译题：9.5.4 DC Biasing techniques with emitter/source degeneration

原句Basically the same techniques used in the simple common emitter/source amplifier stage, which were discussed in section 9.2.1, can be used when the emitter degeneration resistor is added.
中文译读可译为“它可用于/常用于……”。本句强调 共射极 的用途，设计时还要检查适用条件和限制。
补充注释共射极：BJT 反相电压增益级，输入在基极、输出在集电极。。
原句The added voltage across the R<sub>E</sub> (R<sub>E</sub>*I<sub>E</sub>) must be added to the bias level.
中文译读可译为“必须/需要……”。这是约束条件，通常关系到 安全工作范围、精度或稳定性。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句This added voltage drop actually make the operating point (I<sub>C</sub>) much less sensitive to the bias level.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句The small signal voltage gain of the common emitter amplifier with the emitter resistance is approximately R<sub>L</sub> / R<sub>E</sub>.
中文译读逐句译读：这句话围绕 共射极、小信号、电阻 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释共射极：BJT 反相电压增益级，输入在基极、输出在集电极。；小信号：在直流工作点附近线性化后的增量模型，只适合小扰动。；电阻：耗散能量并限制电流的元件参数。。
原句For cases when a gain larger than 5-10 is needed, R<sub>E</sub> may be become so small that the necessary good biasing condition, V<sub>E</sub> = R<sub>E</sub>*I<sub>E</sub> > 10* V<sub>T</sub> cannot be achieved.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句A way to restore the small signal voltage gain while maintaining the desired DC operating bias is to use a by-pass capacitor as is figure 9.5.4.
中文译读逐句译读：这句话围绕 小信号 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释小信号：在直流工作点附近线性化后的增量模型，只适合小扰动。。
原句The small AC signal sees an emitter resistance of just R<sub>E1</sub> while for DC bias the emitter resistance is the series combination of R<sub>E</sub> = R<sub>E1</sub>+R<sub>E2</sub>.
中文译读逐句译读：这句话围绕 电阻 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释电阻：耗散能量并限制电流的元件参数。。
原句Calculations for the common emitter amplifier with emitter degeneration can be applied here by replacing R<sub>E</sub> with R<sub>E1</sub> when deriving the amplifier gain, and input and output impedances, because a sufficiently large bypass capacitor in effects shorts R<sub>E2</sub>and is effectively removed from the circuit for sufficiently high frequency inputs.
中文译读逐句译读：这句话围绕 共射极、阻抗 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释共射极：BJT 反相电压增益级，输入在基极、输出在集电极。；阻抗：交流中电压与电流的复数比，包含电阻和电抗。。

图片未下载：university:courses:electronics:text:chptr9-f19.png

原句Figure 9.5.4 addition of emitter by-pass capacitor
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句Using our earlier biasing exercise in figure 9.5.1 as an example but splitting the 3KΩ R<sub>E</sub> into two resistors as in figure 9.5.4 with R<sub>E1</sub>= 1KΩ and R<sub>E2</sub> = 2KΩ with C<sub>1</sub> = 1uF we can recalculate the small signal gain for high frequencies, where C<sub>1</sub> effectively shorts out R<sub>E2</sub>, to be:
中文译读可译为“但是/然而……”。本句在提醒限制或例外：即使涉及 小信号，也不能无条件套用前一句结论。
补充注释小信号：在直流工作点附近线性化后的增量模型，只适合小扰动。。

图片未下载：university:courses:electronics:text:chptr9-e20.png

原句The addition of by-pass capacitor C<sub>1</sub>, however, modifies the low frequency response of the circuit.
中文译读可译为“但是/然而……”。本句在提醒限制或例外：即使涉及 频率响应，也不能无条件套用前一句结论。
补充注释频率响应：电路增益和相位随频率变化的关系。。
原句We know from our two gain calculations that the DC gain of the circuit is -1.13 and the gain increases to -3.36 for high frequencies.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句We can therefore assume that the frequency response consists of a relatively low frequency zero followed by a somewhat higher frequency pole.
中文译读逐句译读：这句话围绕 频率响应 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释频率响应：电路增益和相位随频率变化的关系。。
原句The formulas for the zero and pole are as follows:
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句<m>F_Z = 1/(2 pi R_E2 C_1)</m>
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句<m>F_P = 1/(2R prime _E C_1)</m>
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句where R’<sub>E</sub>= R<sub>E2</sub> || (R<sub>E1</sub> + r<sub>e</sub>)
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句For our example problem with R<sub>E1</sub> = 1K , R<sub>E2</sub> = 2K and C<sub>1</sub> = 1uF we get the frequency for the zero equal to 80 Hz and the frequency for the pole equal to 237 Hz.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句The simulated frequency response from 1 Hz to 100 KHz for the example circuit is shown in figure 9.5.5.
中文译读逐句译读：这句话围绕 频率响应 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释频率响应：电路增益和相位随频率变化的关系。。

图片未下载：university:courses:electronics:text:chptr9-f20.png

原句Figure 9.5.5 simulated frequency response
中文译读逐句译读：这句话围绕 频率响应 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释频率响应：电路增益和相位随频率变化的关系。。

9.5.5 Summary - performing small-signal analyses:小结

原句1. Find DC operating point.\\ 2.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句Calculate small-signal parameters: g<sub>m</sub>, r<sub></sub>, r<sub>e</sub> etc.\\ 3.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句Replace DC voltage sources with AC grounds and DC current sources with open circuits.\\ 4.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句Replace transistor with small-signal model (hybrid-π model or T model)\\
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。

9.6 Miller’s Theorem本节译题：9.6 Miller’s Theorem

原句At this point we are going to take a diversion to discuss Miller’s Theorem.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句While the methods we have been using up to this point are completely general, there are certain configurations that lend themselves to be analyzed more simply by Miller’s Theorem.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句Miller’s theorem states that in a linear circuit, if there is a branch where an impedance Z, connects two nodes with node voltages V<sub>1</sub>and V<sub>2</sub>, this branch can be replaced by two other branches connecting the corresponding nodes to ground by impedances respectively Z / (1-K) and KZ / (K-1), where the gain from node 1 to node 2 is K = V<sub>2</sub> / V<sub>1</sub>.
中文译读逐句译读：这句话围绕 阻抗 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释阻抗：交流中电压与电流的复数比，包含电阻和电抗。。

图片未下载：university:courses:electronics:text:chptr9-f21.png

图片未下载：university:courses:electronics:text:chptr9-f22.png

原句Figure 9.6.1 Miller’s Theorem
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句At this point we will go through the steps that show how the Miller impedances are arrived at.
中文译读逐句译读：这句话围绕 阻抗 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释阻抗：交流中电压与电流的复数比，包含电阻和电抗。。
原句We can use the equivalent two-port network technique to replace the two-port represented in figure 9.6.1(a) to its equivalent in figure 9.6.2.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。

图片未下载：university:courses:electronics:text:chptr9-f23.png

原句Figure 9.6.2
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句Replacing the voltage sources in figure 9.6.2 with their Norton equivalent current sources we get figure 9.6.3.
中文译读逐句译读：这句话围绕 诺顿 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释诺顿：把线性二端网络等效成电流源并联电阻/阻抗。。

图片未下载：university:courses:electronics:text:chptr9-f24.png

原句Figure 9.6.3
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句Using the source absorption theorem (see the Appendix at the end of this chapter), we get figure 9.6.4.
中文译读本句在说明本章范围：相关基础概念；阅读时应把它当作本章学习路线，而不是孤立结论。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。

图片未下载：university:courses:electronics:text:chptr9-f25.png

原句Figure 9.6.4
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句Which gives us figure 9.6.5 (which is figure 9.6.1(b) ) when we parallel combine the two impedances.
中文译读逐句译读：这句话围绕 阻抗 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释阻抗：交流中电压与电流的复数比，包含电阻和电抗。。

图片未下载：university:courses:electronics:text:chptr9-f26.png

原句Figure 9.6.5
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。

9.7 Shunt feedback:本节译题：9.7 Shunt feedback:

原句Another biasing technique for the common emitter or source amplifier, called shunt feedback, is accomplished by the introduction of some fraction of the collector or drain signal back to the input at the base or gate.
中文译读逐句译读：这句话围绕 共射极 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释共射极：BJT 反相电压增益级，输入在基极、输出在集电极。。
原句This is done via the biasing resistor (R<sub>F</sub>), as shown in figure 9.7.1.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句Resistor R<sub>F</sub> connects between two nodes that have gain, A<sub>V</sub> (K), between them and thus the application of Miller’s theorem is the best way analyze the small signal characteristics of this circuit.
中文译读逐句译读：这句话围绕 小信号 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释小信号：在直流工作点附近线性化后的增量模型，只适合小扰动。。

图片未下载：university:courses:electronics:text:chptr9-f27.png

原句Figure 9.7.1 Drain-to-Gate (a) and Collector-to-Base (b) shunt feedback
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。

9.7.1 MOS version本节译题：9.7.1 MOS version

原句Figure 9.7.1(a) shows a common source NMOS amplifier using drain feedback biasing.
中文译读逐句译读：这句话围绕 共源极 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释共源极：MOSFET 反相电压增益级，输入在栅极、输出在漏极。。
原句This type of biasing is often used with enhancement mode MOSFETS and can be useful when operating with a low voltage power supply (V<sub>+</sub>).
中文译读逐句译读：这句话围绕 MOSFET、电源 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释MOSFET：绝缘栅场效应晶体管；模拟设计关注 VTH、过驱动、gm、ro 和寄生电容。；电源：为电路提供能量；要同时考虑电压、电流、纹波、瞬态和保护。。
原句If Vin is AC coupled, the voltage on the gate is equal to the voltage on the drain (V<sub>GS</sub> = V<sub>DS</sub>) since no gate current flows through R<sub>F</sub>.
中文译读可译为“二者相等/代数关系成立”。这里的核心量是 等式两边的电路量，使用时要先统一参考方向和符号。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句If Vin is DC coupled then a voltage divider is formed by R<sub>F</sub> and R<sub>S</sub> and V<sub>GS</sub> will be less than V<sub>DS</sub>.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句It is useful to note that the transistor is always in saturation when V<sub>GS</sub> = V<sub>DS</sub>.
中文译读逐句译读：这句话围绕 饱和 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释饱和：不同器件上下文含义不同：BJT 饱和与 MOS 饱和不是一回事。。
原句If the drain current increases for some reason, such as a change in V<sub>+</sub>, the gate voltage drops.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句The decreased gate voltage in turn causes the drain current to decreases which causes the gate voltage to increase.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句The negative feedback loop reaches an equilibrium that is the bias point for the circuit.
中文译读逐句译读：这句话围绕 负反馈、静态工作点 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释负反馈：把输出的一部分送回输入以减小误差、稳定增益、改善线性度，但会牺牲部分开环增益。；静态工作点：无交流信号时的直流电压和电流；所有小信号模型都以它为中心。。
原句Some data sheets for enhancement MOSFETS give a value for I<sub>D</sub>(on), where V<sub>GS</sub> = V<sub>DS</sub> lf I<sub>D</sub>(on) is known, the circuit component can be easily calculated as shown in Example 9.3.
中文译读逐句译读：这句话围绕 MOSFET 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释MOSFET：绝缘栅场效应晶体管；模拟设计关注 VTH、过驱动、gm、ro 和寄生电容。。
原句The input impedance of a circuit using drain feedback biasing is equal to the value of R<sub>F</sub> divided by the voltage gain plus one.
中文译读可译为“二者相等/代数关系成立”。这里的核心量是 阻抗，使用时要先统一参考方向和符号。
补充注释阻抗：交流中电压与电流的复数比，包含电阻和电抗。。

9.7.2 BJT Version DC Biasing techniques本节译题：9.7.2 BJT Version DC Biasing techniques

原句This configuration employs negative feedback to stabilize the operating point.
中文译读逐句译读：这句话围绕 负反馈 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释负反馈：把输出的一部分送回输入以减小误差、稳定增益、改善线性度，但会牺牲部分开环增益。。
原句In this form of biasing, the base feedback resistor R<sub>F</sub> is connected to the collector instead of connecting it to the DC source V<sub>+</sub>.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句So any large increase in the collector current will induce a voltage drop across the R<sub>L</sub> resistor that will in turn reduce the transistor’s base current.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句If we assume that the input source Vin is AC coupled and no DC bias current flows in R<sub>S</sub>, from Kirchhoff’s voltage law, the voltage V<sub>RF</sub>across the base resistor R<sub>F</sub> is:
中文译读逐句译读：这句话围绕 基尔霍夫、电压定律 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释基尔霍夫：KCL/KVL 来自电荷守恒和能量守恒，是电路分析的底层约束。；电压定律：闭合回路电压代数和为零，核心是回到同一电位能级。。
原句<m> V_RF = V_+ - (I_c + I_b )R_L - V_BE </m>
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句By the Ebers–Moll model, I<sub>c</sub> = βI<sub>b</sub>, and so:
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句<m> V_RF = V_+ - (βI_b + I_b )R_L - V_BE = V_+ - I_b (β + 1 )R_L - V_BE </m>
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句From Ohm’s law, the base current I<sub>b</sub>=V<sub>RF</sub>/R<sub>F</sub>, and so:
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句<m> I_b R_F = V_+ - I_b (β + 1 )R_L - V_BE </m>
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句Hence, the base current I<sub>b</sub> is:
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句<m> I_b = (V_+ - V_BE ) / (R_F + (β + 1 )R_L ) </m>
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句If V<sub>BE</sub> is held constant and temperature increases, then the collector current I<sub>c</sub> increases.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句However, a larger I<sub>c</sub> causes the voltage drop across resistor R<sub>L</sub> to increase, which in turn reduces the voltage V<sub>RF</sub> across the base resistor R<sub>F</sub>.
中文译读可译为“但是/然而……”。本句在提醒限制或例外：即使涉及 上述概念，也不能无条件套用前一句结论。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句A lower base-resistor voltage drop reduces the base current I<sub>b</sub>, which results in less collector current I<sub>c</sub>.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句Because an increase in collector current with temperature is opposed, the operating point is kept more stable.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句Pros:
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句Circuit stabilizes the operating point against variations in temperature and β (ie.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句Transistor process variations)
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句Cons:
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句In this circuit, to keep I<sub>c</sub> independent of β, the following condition must be met:
中文译读可译为“必须/需要……”。这是约束条件，通常关系到 安全工作范围、精度或稳定性。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句<m> I_c = βI_b = (βV_+ - βB_BE ) / (R_F +(β+1)R_L) approx (V_+ - V_BE)/R_L </m>
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句which is the case when:
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句<m> βR_L >> R_F </m>
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句As β is fixed (and generally not known precisely) for a given transistor, this relation can be satisfied either by keeping R<sub>L</sub> fairly large or making R<sub>F</sub> very low.\\
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句If R<sub>L</sub> is large, a high V<sub>+</sub> is necessary, which increases cost as well as precautions necessary while handling.\\
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句If R<sub>F</sub> is low, the reverse bias of the collector–base region is small, which limits the range of collector voltage swing that leaves the transistor in active mode.\\
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句The resistor R<sub>F</sub> causes an AC feedback, reducing the voltage gain of the amplifier.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句This undesirable effect is a trade-off for greater quiescent operating point stability.
中文译读逐句译读：这句话围绕 稳定性 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释稳定性：反馈电路不会自激振荡并具有足够瞬态裕量。。
原句Usage: The feedback also decreases the input impedance of the amplifier as seen from the base, which can be advantageous.
中文译读逐句译读：这句话围绕 阻抗 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释阻抗：交流中电压与电流的复数比，包含电阻和电抗。。
原句Due to the gain reduction from feedback, this biasing form is used only when the trade-off for stability is warranted.
中文译读可译为“它可用于/常用于……”。本句强调 稳定性 的用途，设计时还要检查适用条件和限制。
补充注释稳定性：反馈电路不会自激振荡并具有足够瞬态裕量。。

Example 9.7.2 Using Miller’s Theorem本节译题：Example 9.7.2 Using Miller’s Theorem

原句For the amplifier shown in figure 9.7.2(a) with a DC coupled input source V<sub>in</sub> calculate the input and output resistance and voltage gain A<sub>V</sub>.
中文译读逐句译读：这句话围绕 输出电阻、电阻 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释输出电阻：从输出端看进去的等效电阻，决定增益、负载效应和电流源理想程度。；电阻：耗散能量并限制电流的元件参数。。
原句We first need to start with some preliminary DC analysis to determine the operating point of Q<sub>1</sub>.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句For this we set V<sub>in</sub> to zero volts, i.e. short it out.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句If we assume a V<sub>BE</sub> of 0.65 volts we will have 65 uA flowing in the 10K resistor R<sub>S</sub>.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句Given that V<sub>+</sub> is 10V, we would like V<sub>out</sub> to be 5 volts.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句The current in R<sub>L</sub> is equal to 500uA and will split between the collector of Q<sub>1</sub> and the feedback resistor R<sub>F</sub>.
中文译读可译为“二者相等/代数关系成立”。这里的核心量是 等式两边的电路量，使用时要先统一参考方向和符号。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句The voltage across the 62.7KΩ feedback resistor is 5-0.65 or 4.35 volts.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句The current in R<sub>F</sub> splits between the current in R<sub>S</sub> and I<sub>B</sub>.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句The base current I<sub>B</sub> is equal to 4.35/62.7KΩ – 65uA or 4.3 uA.
中文译读可译为“二者相等/代数关系成立”。这里的核心量是 等式两边的电路量，使用时要先统一参考方向和符号。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句We should get a collector current of 500uA - 69.3uA or 430.3uA with a β of about 100.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句If we use Miller’s theorem to replace the feedback resistor R<sub>F</sub> with its two equivalent impedances we get figure 9.7.2(b).
中文译读逐句译读：这句话围绕 阻抗 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释阻抗：交流中电压与电流的复数比，包含电阻和电抗。。
原句Assuming that the voltage gain from base to collector A<sub>V</sub> is significantly greater than 1 we can make the simplification that A<sub>V</sub>/(A<sub>V</sub>-1) is close to 1.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句The effective load resistance, R<sub>Leq</sub> we will use to calculate the gain will be 10KΩ||62.7KΩ or 8.62KΩ.
中文译读逐句译读：这句话围绕 电阻 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释电阻：耗散能量并限制电流的元件参数。。
原句Now we can use the same common emitter or source small signal gain equations we used in section 9.2.2.
中文译读逐句译读：这句话围绕 共射极、小信号 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释共射极：BJT 反相电压增益级，输入在基极、输出在集电极。；小信号：在直流工作点附近线性化后的增量模型，只适合小扰动。。
原句The 430uA collector currents gives us a g<sub>m</sub> of 430uA/25mV or 0.0172.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句We know that A<sub>V</sub> = -g<sub>m</sub>R<sub>Leq</sub> or A<sub>V</sub> = -0.0172*8.62K = -148 which is >> 1.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句The input resistance seen at the base of Q<sub>1</sub> will be the r<sub>π</sub>of Q<sub>1</sub>, which is equal to β/g<sub>m</sub> or 100/0.0172 = 5.814KΩ, in parallel with the Miller resistance 62.7KΩ/149 = 421Ω thus the effective input resistance, R<sub>base</sub> will be about 392.5Ω.
中文译读可译为“二者相等/代数关系成立”。这里的核心量是 电阻，使用时要先统一参考方向和符号。
补充注释电阻：耗散能量并限制电流的元件参数。。

图片未下载：university:courses:electronics:text:chptr9-f28.png

原句Figure 9.7.2 Example using Miller’s theorem
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句The input source resistance R<sub>S</sub> and the equivalent resistance at the base, R<sub>base</sub> form a voltage divider.
中文译读逐句译读：这句话围绕 电阻 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释电阻：耗散能量并限制电流的元件参数。。
原句To calculate the overall voltage gain from voltage source V<sub>in</sub> to V<sub>out</sub> we multiply this divider ratio times the base to collector gain, A<sub>V</sub> we just calculated.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句<m> R_base / (R_S + R_base ) A_V = (392.5/10392.5) * 148 = 5.6 </m>
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句From our investigation of the inverting op amp configuration in Chapter 3 we learned that for amplifiers with less than infinite gain the actual gain will be less than the ideal gain equation, Gain = -R<sub>F</sub>/R<sub>S</sub> predicts.
中文译读逐句译读：这句话围绕 运放 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释运放：高增益差分放大器；分析时先确认是否处于负反馈线性区。。
原句If our single transistor amplifier had infinite gain the gain from V<sub>in</sub> to V<sub>out</sub> would be 62.7KΩ/10KΩ or 6.27.
中文译读逐句译读：这句话围绕 单管放大级 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释单管放大级：用一个 BJT 或 MOSFET 形成基本增益级、缓冲级或电流输入级。。
原句In Chapter 3 we got an estimation of the percentage error, ε, due to finite gain A<sub>V</sub> (remember β in this equation is the feedback factor not the current gain of the transistor):
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句<m> epsilon(%) approx 100/(A_V beta ) = 100/(148*6.2) = 10.7% </m>
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句The actual gain of 5.6 is about 10% smaller than the ideal gain of 6.27.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。

Exercise 9.7本节译题：Exercise 9.7

原句Part 1 DC operating point:
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句For the circuit in figure 9.7.3 calculate the required R<sub>F</sub> to bias the DC operating point such that V<sub>out</sub> is equal to ½ the supply voltage or +5V when Vin = 0.
中文译读可译为“二者相等/代数关系成立”。这里的核心量是 等式两边的电路量，使用时要先统一参考方向和符号。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句Assume V<sub>BE</sub> = 0.65V and β = 200.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。

图片未下载：university:courses:electronics:text:chptr9-f29.png

原句Figure 9.7.3
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句Part 2 Small signal gain and impedance:
中文译读逐句译读：这句话围绕 小信号、阻抗 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释小信号：在直流工作点附近线性化后的增量模型，只适合小扰动。；阻抗：交流中电压与电流的复数比，包含电阻和电抗。。
原句Given the value for R<sub>F</sub> calculated in part 1 calculate the voltage gain A<sub>V</sub>, the input resistance R<sub>base</sub> and the output resistance R<sub>out</sub>.
中文译读逐句译读：这句话围绕 输出电阻、电阻 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释输出电阻：从输出端看进去的等效电阻，决定增益、负载效应和电流源理想程度。；电阻：耗散能量并限制电流的元件参数。。
原句Also calculate the overall voltage gain V<sub>out</sub>/V<sub>in</sub> and explain why this is different than the ideal value of –R<sub>F</sub>/R<sub>S</sub>.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。

9.7.5 The Miller Effect米勒效应

原句The Miller effect is key to predicting the frequency response of an inverting amplifier stage where capacitive feedback is included.
中文译读逐句译读：这句话围绕 米勒效应、频率响应 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释米勒效应：输入输出之间的电容在反相增益作用下等效放大，降低高频带宽。；频率响应：电路增益和相位随频率变化的关系。。
原句Typically there’s a low-pass pole in the voltage gain stage created by R<sub>S</sub> of the signal source and a feedback capacitor C<sub>C</sub>.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句But, the low pass cutoff is not simply determined by R<sub>S</sub> and C<sub>C</sub>.
中文译读可译为“但是/然而……”。本句在提醒限制或例外：即使涉及 上述概念，也不能无条件套用前一句结论。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句The Miller effect creates an effective capacitance at the base/gate of the transistor that appears as C<sub>C</sub> scaled by the amplifier’s voltage gain.
中文译读逐句译读：这句话围绕 米勒效应、电容 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释米勒效应：输入输出之间的电容在反相增益作用下等效放大，降低高频带宽。；电容：储存电荷的能力；阻抗随频率升高而降低。。

图片未下载：university:courses:electronics:text:chptr9-f30.png

原句Figure 9.7.3 Miller feedback capacitor
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句The Miller effect is especially useful when you’re trying to produce a low-pass filter on an IC op amp with a relatively low frequency cut-off.
中文译读逐句译读：这句话围绕 运放、米勒效应 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释运放：高增益差分放大器；分析时先确认是否处于负反馈线性区。；米勒效应：输入输出之间的电容在反相增益作用下等效放大，降低高频带宽。。
原句The difficulty is that large capacitors are difficult to make because they take up so much space on the IC.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句The solution is to make a small capacitor and then scale up its behavior using the Miller effect.
中文译读逐句译读：这句话围绕 米勒效应 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释米勒效应：输入输出之间的电容在反相增益作用下等效放大，降低高频带宽。。
原句Equivalent Circuit
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句Here’s a simplified version of the circuit above.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。

图片未下载：university:courses:electronics:text:chptr9-f31.png

原句Figure 9.7.4 Miller feedback equivalent circuit
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句Miller said that you can approximate the input capacitance by replacing C<sub>C</sub> with a different capacitance C<sub>M</sub> across the R<sub>IN</sub>.
中文译读逐句译读：这句话围绕 电容 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释电容：储存电荷的能力；阻抗随频率升高而降低。。
原句How much bigger is C<sub>M</sub>?
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句C<sub>C</sub> is multiplied by the voltage gain (A<sub>V</sub> = g<sub>m</sub>R<sub>L</sub>) of the amplifier.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句Miller’s theorem also states there will be a capacitor C’<sub>C</sub> across R<sub>L</sub> that is equal to C<sub>C</sub> times (A<sub>V</sub>+1)/A<sub>V</sub> which for large values of A<sub>V</sub> we assume to be 1.
中文译读可译为“二者相等/代数关系成立”。这里的核心量是 等式两边的电路量，使用时要先统一参考方向和符号。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句<m> C_M = C_C · (1+A_V) , C’_C ~ C_C </m>
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句How does this work?
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句Well, we know that forcing a voltage across a capacitor causes a current to flow.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句How much current depends on the capacitance: I = C<sub>C</sub> · ΔV/Δt.
中文译读可译为“结果取决于……”。关键依赖项是 电容，不能只看单一典型值。
补充注释电容：储存电荷的能力；阻抗随频率升高而降低。。
原句However, in this circuit, the voltage gain at R<sub>L</sub> causes a much larger ΔV across C<sub>C</sub> - causing an even larger current to flow through C<sub>C</sub>.
中文译读可译为“但是/然而……”。本句在提醒限制或例外：即使涉及 上述概念，也不能无条件套用前一句结论。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句Therefore, it looks like a much larger capacitance from the point of view of V<sub>IN</sub>.
中文译读逐句译读：这句话围绕 电容 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释电容：储存电荷的能力；阻抗随频率升高而降低。。

Example 9.7.3 Miller Capacitance Example电容

原句In this example we will use the circuit shown in figure 9.7.5 to illustrate the Miller multiplication of the feedback capacitor C<sub>C</sub>.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句Bias resistors R<sub>1</sub> and R<sub>S</sub> are chosen to set the DC operating point such that V<sub>out</sub> is at a DC value of approximately V+/2 or 5V.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句With the given R<sub>L</sub> of 10KΩ the low frequency small signal voltage gain A<sub>V</sub> is approximately 80.
中文译读逐句译读：这句话围绕 小信号 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释小信号：在直流工作点附近线性化后的增量模型，只适合小扰动。。
原句We can now calculate the -3 dB frequency and unity gain (0dB) frequency for a feedback capacitor, C<sub>C</sub>, of 0.001 uF.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句The frequency where the gain from V<sub>in</sub> to V<sub>out</sub> falls by -3 dB from its DC values is approximately equal to:
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句The unity gain frequency is approximately equal to :
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。

图片未下载：university:courses:electronics:text:chptr9-f32.png

原句Figure 9.7.5 Miller Capacitance Example
中文译读逐句译读：这句话围绕 电容 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释电容：储存电荷的能力；阻抗随频率升高而降低。。
原句The circuit in figure 9.7.5 was simulated and the AC frequency response from 1 Hz to 1 MHz is plotted in figure 9.7.6.
中文译读逐句译读：这句话围绕 频率响应 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释频率响应：电路增益和相位随频率变化的关系。。
原句The gain from V<sub>in</sub> to V<sub>out</sub> in dB is 20Log(A<sub>V</sub>) or about 38 dB.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句The -3 dB frequency in this case would be where the gain curve crosses 35 dB (~263 Hz) and the unit gain frequency would be where the gain curve crosses the 0 dB line (~21.7 KHz ).
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句The simulation results are in reasonably close agreement with our approximate hand calculations.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句For our hand calculations we assumed that R<sub>1</sub> was sufficiently larger than R<sub>S</sub> so it could be ignored and likewise the r<sub>π</sub> of Q<sub>1</sub> was large enough to not materially affect R<sub>S</sub>.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。

图片未下载：university:courses:electronics:text:chptr9-f33.png

原句Figure 9.7.6 Frequency sweep simulation
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。

Chapter Summary:小结

原句The Common Emitter stage has high gain but low input and high output impedance.\\
中文译读可译为“但是/然而……”。本句在提醒限制或例外：即使涉及 共射极、阻抗，也不能无条件套用前一句结论。
补充注释共射极：BJT 反相电压增益级，输入在基极、输出在集电极。；阻抗：交流中电压与电流的复数比，包含电阻和电抗。。
原句R<sub>E</sub> emitter degeneration improves input impedance and provides negative feedback to stabilize DC operating point but with some loss in gain.\\
中文译读可译为“但是/然而……”。本句在提醒限制或例外：即使涉及 负反馈、阻抗，也不能无条件套用前一句结论。
补充注释负反馈：把输出的一部分送回输入以减小误差、稳定增益、改善线性度，但会牺牲部分开环增益。；阻抗：交流中电压与电流的复数比，包含电阻和电抗。。
原句The Common Base stage has low input, high output impedance but is good at high frequencies.
中文译读可译为“但是/然而……”。本句在提醒限制或例外：即使涉及 共基极、阻抗，也不能无条件套用前一句结论。
补充注释共基极：低输入阻抗、宽带电流输入级，可缓解米勒效应。；阻抗：交流中电压与电流的复数比，包含电阻和电抗。。
原句Good current buffer sometimes called the current follower.\\
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句The Common Collector or Emitter follower can be biased with large input impedance, low output impedance but has approximately unity gain.
中文译读可译为“但是/然而……”。本句在提醒限制或例外：即使涉及 射极跟随器、阻抗，也不能无条件套用前一句结论。
补充注释射极跟随器：电压增益接近 1，但输入阻抗高、输出阻抗低，常作缓冲。；阻抗：交流中电压与电流的复数比，包含电阻和电抗。。
原句Good voltage buffer.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。

Appendix: Source absorption theorem本节译题：Appendix: Source absorption theorem

原句The source absorption theorem has two dual forms: the voltage source absorption and the current source absorption theorems.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句The voltage source absorption theorem states that if, in one branch of the circuit with current I, there is a voltage source controlled by I, the source can be replaced by a simple impedance with value equal to the source controlling factor.
中文译读逐句译读：这句话围绕 阻抗 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释阻抗：交流中电压与电流的复数比，包含电阻和电抗。。

图片未下载：university:courses:electronics:text:chptr9-f34.png

原句Figure 9A.1
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句The proof is trivial.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句An impedance Z where a current I flows has the same voltage drop the I controlled source generates at its terminals.
中文译读逐句译读：这句话围绕 阻抗 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释阻抗：交流中电压与电流的复数比，包含电阻和电抗。。
原句The current source absorption theorem states that if, in one branch of the circuit there is a current source controlled by a voltage V, the source can be replaced by a simple admittance with value equal to the source controlling factor.
中文译读逐句译读：这句话围绕 导纳 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释导纳：阻抗的倒数，常用于并联网络分析。。

图片未下载：university:courses:electronics:text:chptr9-f35.png

原句Figure 9A.2
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句The proof is again trivial.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句An admittance Y submitted to a voltage V imposes the same current that the source Y V provides.
中文译读逐句译读：这句话围绕 导纳 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释导纳：阻抗的倒数，常用于并联网络分析。。

Example A1: Finding the Emitter Resistance using Source absorption theorem电阻

原句Figure A9.3 shows the small signal equivalent circuit model of a transistor.
中文译读逐句译读：这句话围绕 小信号 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释小信号：在直流工作点附近线性化后的增量模型，只适合小扰动。。
原句Find the resistance Rin looking into the emitter (with base and collector at small signal AC grounds).
中文译读逐句译读：这句话围绕 小信号、电阻 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释小信号：在直流工作点附近线性化后的增量模型，只适合小扰动。；电阻：耗散能量并限制电流的元件参数。。

图片未下载：university:courses:electronics:text:chptr9-f36.png

原句Figure 9A.3
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句Using what we just learned about the source absorption theorem for current sources we know we can replace the controlled source with a resistance equal to 1/g<sub>m</sub>its transconductance.
中文译读逐句译读：这句话围绕 跨导、电阻 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释跨导：输入电压变化引起输出电流变化的能力，常记为 gm。；电阻：耗散能量并限制电流的元件参数。。

Advanced Topics:本节译题：Advanced Topics:

AT1 Diode bias generation二极管

图片未下载：university:courses:electronics:text:chptr9-f37.png

原句Figure AT1.1 Inserting a Diode connected device in the bias divider
中文译读逐句译读：这句话围绕 二极管 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释二极管：单向导电非线性器件；实际行为与电流、温度和反向恢复有关。。

图片未下载：university:courses:electronics:text:chptr9-f38.png

原句Figure AT1.2 Inserting R<sub>2</sub>increases the input resistance
中文译读逐句译读：这句话围绕 电阻 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释电阻：耗散能量并限制电流的元件参数。。
原句Return to Previous Chapter
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句Go to Next Chapter
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句Return to Table of Contents
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。

本章图片总览全部已下载图片

chptr9-e1.png
chptr9-e1.png
chptr9-e10.png
chptr9-e10.png
chptr9-e11.png
chptr9-e11.png
chptr9-e12.png
chptr9-e12.png
chptr9-e13.png
chptr9-e13.png
chptr9-e14.png
chptr9-e14.png
chptr9-e15.png
chptr9-e15.png
chptr9-e16.png
chptr9-e16.png
chptr9-e17.png
chptr9-e17.png
chptr9-e18.png
chptr9-e18.png
chptr9-e19.png
chptr9-e19.png
chptr9-e2.png
chptr9-e2.png
chptr9-e20.png
chptr9-e20.png
chptr9-e3.png
chptr9-e3.png
chptr9-e4.png
chptr9-e4.png
chptr9-e5.png
chptr9-e5.png
chptr9-e6.png
chptr9-e6.png
chptr9-e7.png
chptr9-e7.png
chptr9-e8.png
chptr9-e8.png
chptr9-e9.png
chptr9-e9.png
chptr9-f1.png
chptr9-f1.png
chptr9-f10.png
chptr9-f10.png
chptr9-f11.png
chptr9-f11.png
chptr9-f12.png
chptr9-f12.png
chptr9-f16.png
chptr9-f16.png
chptr9-f17.png
chptr9-f17.png
chptr9-f18.png
chptr9-f18.png
chptr9-f19.png
chptr9-f19.png
chptr9-f2.png
chptr9-f2.png
chptr9-f20.png
chptr9-f20.png
chptr9-f21.png
chptr9-f21.png
chptr9-f22.png
chptr9-f22.png
chptr9-f23.png
chptr9-f23.png
chptr9-f24.png
chptr9-f24.png
chptr9-f25.png
chptr9-f25.png
chptr9-f26.png
chptr9-f26.png
chptr9-f27.png
chptr9-f27.png
chptr9-f28.png
chptr9-f28.png
chptr9-f29.png
chptr9-f29.png
chptr9-f3.png
chptr9-f3.png
chptr9-f30.png
chptr9-f30.png
chptr9-f31.png
chptr9-f31.png
chptr9-f32.png
chptr9-f32.png
chptr9-f33.png
chptr9-f33.png
chptr9-f34.png
chptr9-f34.png
chptr9-f35.png
chptr9-f35.png
chptr9-f36.png
chptr9-f36.png
chptr9-f37.png
chptr9-f37.png
chptr9-f38.png
chptr9-f38.png
chptr9-f4.png
chptr9-f4.png
chptr9-f5.png
chptr9-f5.png
chptr9-f6.png
chptr9-f6.png
chptr9-f7.png
chptr9-f7.png
chptr9-f8.png
chptr9-f8.png
chptr9-f9.png
chptr9-f9.png