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第 14 章：电压基准
原始标题：Chapter 14: Voltage References · 来源：https://wiki.analog.com/university/courses/electronics/text/chapter-14
说明：这是面向学习的中文详注 HTML，不是 ADI 官方中文译本。页面保留原文句子，并在每句下方给出中文译读和术语注释；涉及公式、参数和器件选择时，请回到 ADI 原文与对应数据手册复核。
本章中文详解重写讲义版
第 14 章：电压基准
中文学习笔记，依据 ADI 原章节 重述并补充工程注释。不是逐句翻译，也不替代 ADI 原文与器件数据手册。
本章定位
电压基准为 ADC、DAC、稳压器和测量链提供“尺子”。准确度不只看初始误差，还要看温漂、长期漂移、噪声、负载调整率、线性调整率、启动和热迟滞。
学习目标
- 能用物理直觉说明主要电路或器件的工作过程。
- 能写出本章核心近似式，并说明近似成立的条件。
- 能识别输入范围、输出余量、功耗、噪声或稳定性中的主要限制。
- 能阅读原理图并完成数量级检查。
原章小节索引
- 14.1 Introduction
- 14.2 Simple Diode References
- 14.2.1 Zener diodes
- 14.3 Bandgap References
- 14.4 Buried (sub-surface) Zener References
基准的指标体系
初始精度决定出厂误差，温度系数描述随温度变化，长期漂移描述老化；噪声影响短期分辨率。系统校准可以修正部分初始误差，却不能轻易消除随机噪声和不可预测漂移。
二极管与齐纳基准
正向二极管具有负温度系数，某些击穿机制具有不同符号的温度系数。简单齐纳基准需要稳定偏置电流和滤波，并受动态电阻影响。
带隙基准
带隙把具有负温度系数的 $V_{BE}$ 与具有正温度系数的 $\Delta V_{BE}$ 加权相加，得到接近硅带隙电压的近零一阶温漂输出。电阻比和器件面积比决定补偿比例。
埋层齐纳基准
埋层齐纳在硅内部较洁净区域工作，可获得很低噪声和良好长期稳定性，通常需要较高供电和功耗。它适合高端精密系统，而低功耗系统常偏向带隙或其他低压结构。
应用与布局
基准输出驱动动态 ADC 负载时可能需要缓冲和去耦，但某些基准对电容 ESR 有稳定性要求。热源、铜箔应力、漏电和地回流都可能把微伏级性能悄悄吃掉。
核心公式与使用条件
- 温漂常用 ppm/°C：$TC=\Delta V/(V\Delta T)\times10^6$
- 带隙思想：$V_{ref}=V_{BE}+K\Delta V_{BE}$
- $\Delta V_{BE}=V_T\ln(N)$
公式默认采用理想或一阶模型。用于实际设计前，应补入器件容差、温度范围、频率依赖和数据手册保证值。
常见误区
- 把 ADC 内置基准视为理想电压源。
- 只看初始精度，不看温漂和长期漂移。
- 未查数据手册就给基准输出并联任意大电容。
设计检查清单
- 先标出所有电压极性、电流方向与直流工作点。
- 验证器件处于假设的工作区，并检查输入/输出合规范围。
- 对最大、最小电源与温度角点重复计算。
- 计算功耗、噪声或带宽时写清单位和积分带宽。
- 用仿真或实验验证瞬态、稳定性及最坏容差。
配图
图 1：选自 ADI 原章节；请结合本章中文解释阅读。
图 2：选自 ADI 原章节；请结合本章中文解释阅读。
图 3：选自 ADI 原章节；请结合本章中文解释阅读。
图 4：选自 ADI 原章节；请结合本章中文解释阅读。
复习题
- 用自己的话说明“基准的指标体系”解决的核心问题。
- 针对“应用与布局”，列出一个计算中必须检查的边界条件。
- 选取本章一幅图，沿信号或能量流向逐节点解释其工作过程。
来源与署名
- 来源：ADI 原章节。
- 原始教材及图片：Analog Devices, Inc.，用于非商业教育学习；保留 ADI 署名。
- 本文中文讲解为重新组织的学习笔记；如与原文或最新数据手册不一致，以原始资料和器件数据手册为准。
原文逐句译读与注释按原站顺序
Chapter 14: Voltage References参考资料
14.1 Introduction引言
原句Voltage references and linear voltage regulators have much in common.
中文译读逐句译读：这句话围绕 电压基准、稳压器 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释电压基准：提供稳定、低噪声、低漂移的参考电压，是 ADC/DAC 精度链路的一部分。；稳压器：在输入、负载变化时维持输出电压，设计要看压差、热耗和稳定性。。
原句In fact, the latter could be functionally described as a reference circuit, but at a greater current (or power) output level.
中文译读可译为“但是/然而……”。本句在提醒限制或例外：即使涉及 上述概念，也不能无条件套用前一句结论。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句Accordingly, many of the specifications of the two circuit types have great commonality (even though the output voltage tolerance of references is usually tighter with regard to temperature drift, accuracy, etc.).
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句Voltage references have a major impact on the performance and accuracy of analog systems.
中文译读逐句译读：这句话围绕 电压基准 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释电压基准：提供稳定、低噪声、低漂移的参考电压，是 ADC/DAC 精度链路的一部分。。
原句A ±5 mV tolerance on a 5 V reference corresponds to ±0.1% absolute accuracy which is only 1 part in a thousand or 10-bit accuracy.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句For a system with 12-bit accuracy, choosing a reference that has a ±1 mV tolerance may be far easier than manually calibrating a lower accuracy reference.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句Both high initial accuracy and calibration are likely to be necessary in a system making absolute 16-bit measurements.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句Note that many systems make relative or ratiometric measurements rather than absolute ones.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句In such cases the absolute accuracy of the reference is not as important, although noise and short-term stability may be.
中文译读可译为“但是/然而……”。本句在提醒限制或例外：即使涉及 噪声、稳定性，也不能无条件套用前一句结论。
补充注释噪声：电路内部随机扰动；低噪声设计要分清电压噪声、电流噪声和电阻热噪声。；稳定性：反馈电路不会自激振荡并具有足够瞬态裕量。。
原句Temperature drift or drift due to aging may be an even greater problem than absolute accuracy.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句The initial error can always be adjusted or calibrated, but compensating for drift over temperature or time is difficult.
中文译读可译为“但是/然而……”。本句在提醒限制或例外：即使涉及 上述概念，也不能无条件套用前一句结论。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句Where possible, references should be designed for low temperature drift and aging characteristics which preserve adequate accuracy over the operating temperature range and expected lifetime of the system.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句Noise in voltage references is often overlooked, but it can be very important in system design.
中文译读可译为“但是/然而……”。本句在提醒限制或例外：即使涉及 电压基准、噪声，也不能无条件套用前一句结论。
补充注释电压基准：提供稳定、低噪声、低漂移的参考电压，是 ADC/DAC 精度链路的一部分。；噪声：电路内部随机扰动；低噪声设计要分清电压噪声、电流噪声和电阻热噪声。。
原句Noise is an instantaneous change in the reference voltage.
中文译读逐句译读：这句话围绕 噪声 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释噪声：电路内部随机扰动；低噪声设计要分清电压噪声、电流噪声和电阻热噪声。。
原句It is generally specified on component data sheets, but system designers frequently ignore the specification and mistakenly assume that their voltage reference does not contribute noise in their system.
中文译读可译为“但是/然而……”。本句在提醒限制或例外：即使涉及 电压基准、噪声，也不能无条件套用前一句结论。
补充注释电压基准：提供稳定、低噪声、低漂移的参考电压，是 ADC/DAC 精度链路的一部分。；噪声：电路内部随机扰动；低噪声设计要分清电压噪声、电流噪声和电阻热噪声。。
原句There are two dynamic issues that must be considered with voltage references: their behavior at start-up, and their behavior with transient loads.
中文译读可译为“必须/需要……”。这是约束条件，通常关系到 电压基准。
补充注释电压基准：提供稳定、低噪声、低漂移的参考电压，是 ADC/DAC 精度链路的一部分。。
原句With regard to the first, always bear in mind that voltage references do not power up instantly (this is true of references inside power supply regulators, ADCs and DACs as well as discrete designs).
中文译读逐句译读：这句话围绕 电压基准、电源 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释电压基准：提供稳定、低噪声、低漂移的参考电压，是 ADC/DAC 精度链路的一部分。；电源：为电路提供能量；要同时考虑电压、电流、纹波、瞬态和保护。。
原句Thus it is rarely possible to turn on an ADC and reference, whether internal or external, make a reading, and turn off again within a relatively few microseconds, however attractive such a operation might be in terms of energy saving.
中文译读可译为“但是/然而……”。本句在提醒限制或例外：即使涉及 上述概念，也不能无条件套用前一句结论。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句Regarding the second point, a given reference IC may or may not be well suited for pulse or fast transient loading conditions, dependent upon the specific architecture.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句Many references use low power, and therefore low bandwidth, output buffer amplifiers.
中文译读逐句译读：这句话围绕 带宽 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释带宽：满足指定增益/误差条件的频率范围。。
原句This makes for poor behavior under fast transient loads, which may degrade the performance of high speed ADCs (especially capacitor based successive approximation and pipe-line ADCs).
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句Suitable decoupling can ease the problem (but some references oscillate with large capacitive loads), or an additional external broadband buffer amplifier may be used to drive the part of the circuit where the transients occur.
中文译读可译为“它可用于/常用于……”。本句强调 该结构 的用途，设计时还要检查适用条件和限制。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
14.2 Simple Diode References参考资料
原句In terms of the functionality of their circuit connection, standard reference ICs are often only available in series, or three-terminal form (V<sub>IN</sub>, Common, V<sub>OUT</sub>), and also in positive polarity only.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句The series types have the potential advantages of lower and more stable quiescent current, standard pre-trimmed output voltages, and relatively high output current without accuracy loss.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句Shunt, or two-terminal (i.e. diode-like) references are more flexible regarding operating polarity, but they are also more restrictive as to loading.
中文译读可译为“但是/然而……”。本句在提醒限制或例外：即使涉及 二极管，也不能无条件套用前一句结论。
补充注释二极管：单向导电非线性器件；实际行为与电流、温度和反向恢复有关。。
原句They can in fact eat up excessive power with widely varying resistor-fed voltage inputs.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句Also, they sometimes come in non-standard voltages.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句All of these various factors tend to govern when one functional type is preferred over the other.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句By contrast, these most simple references (as well as all other shunt-type regulators) have a basic advantage, which is the fact that the polarity is readily reversible by flipping connections and reversing the drive current.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句However, a basic limitation of all shunt regulators is that load current must always be less (usually significantly less) than the driving current.
中文译读可译为“必须/需要……”。这是约束条件，通常关系到 安全工作范围、精度或稳定性。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句Some simple diode-based references are shown in Figure 14.1.
中文译读逐句译读：这句话围绕 二极管 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释二极管：单向导电非线性器件；实际行为与电流、温度和反向恢复有关。。
原句In the first of these, a current driven forward biased diode (or diode-connected transistor) produces a voltage, V<sub>f</sub>= V<sub>REF</sub>.
中文译读逐句译读：这句话围绕 二极管 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释二极管：单向导电非线性器件；实际行为与电流、温度和反向恢复有关。。
原句While the junction drop is somewhat decoupled from the raw supply, it has numerous deficiencies as a reference.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句Among them are a strong temperature coefficient (TC) of about -0.3%/°C, some sensitivity to loading, and a rather inflexible output voltage, it is generally only available in increments of 0.65V.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
图片未下载：university:courses:electronics:text:chptr14_f1.png
原句The significant negative temperature coefficient of the forward biased emitter base junction of a diode connected transistor is dependent on V<sub>BE</sub>.
中文译读可译为“结果取决于……”。关键依赖项是 二极管，不能只看单一典型值。
补充注释二极管：单向导电非线性器件；实际行为与电流、温度和反向恢复有关。。
原句To explore this let us first reexamine the V<sub>BE</sub> equation.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
图片未下载：university:courses:electronics:text:chptr14_e1.png
原句At first glance one sees that absolute temperature, T, appears in the equation and the quantity V<sub>T</sub>, the thermal voltage (kT/q), has a positive temperature coefficient.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句This would make V<sub>BE</sub> have a positive temperature coefficient if I<sub>S,</sub> the junction saturation current, was constant over temperature.
中文译读逐句译读：这句话围绕 饱和 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释饱和：不同器件上下文含义不同：BJT 饱和与 MOS 饱和不是一回事。。
原句I<sub>S</sub>in fact has a very strong temperature coefficient as seen in the following equation for I<sub>S</sub>.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
图片未下载：university:courses:electronics:text:chptr14_e2.png
原句Note: E<sub>g</sub>is the energy gap of Silicon\\ M represents the temperature dependence of mobility
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句If we use this equation for I<sub>S</sub> and insert it in the V<sub>BE</sub> equation and then differentiate with respect to temperature we get the following relationship for a constant I<sub>C</sub>.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
图片未下载：university:courses:electronics:text:chptr14_e3.png
原句Note:
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
图片未下载：university:courses:electronics:text:chptr14_e4.png
原句and
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
图片未下载：university:courses:electronics:text:chptr14_e5.png
原句We can see this in the temperature simulation plot shown in figure 14.2 where the current through a diode connected NPN transistor is set to 1mA, 2mA, 5mA and 10mA.
中文译读逐句译读：这句话围绕 二极管 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释二极管：单向导电非线性器件；实际行为与电流、温度和反向恢复有关。。
图片未下载：university:courses:electronics:text:chptr14_f2.png
原句The slope of the 10 mA line is slightly less negative than the 1 mA line.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句In fact all the V<sub>BE</sub> vs. temperature lines would converge at absolute zero when projected back to the origin.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句The voltage they converge to is approximately the energy gap of Silicon or 1.2 volts.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句This property is not very helpful by itself but when combined with another property of BJTs can result in a low temperature coefficient reference as we will discuss in section 14.3 on the Bandgap reference.
中文译读可译为“但是/然而……”。本句在提醒限制或例外：即使涉及 上述概念，也不能无条件套用前一句结论。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句The V<sub>BE</sub> voltage of the simple diode connected transistor of figure 14.1(a) can be used to generate a regulated current reference as well, as shown in figure 14.3.
中文译读可译为“它可用于/常用于……”。本句强调 二极管 的用途，设计时还要检查适用条件和限制。
补充注释二极管：单向导电非线性器件；实际行为与电流、温度和反向恢复有关。。
原句In this circuit the simple diode connection around Q<sub>1</sub>is replaced by emitter follower Q<sub>2</sub>.
中文译读逐句译读：这句话围绕 射极跟随器、二极管 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释射极跟随器：电压增益接近 1，但输入阻抗高、输出阻抗低，常作缓冲。；二极管：单向导电非线性器件；实际行为与电流、温度和反向恢复有关。。
原句The V<sub>BE</sub> of Q<sub>1</sub> is impressed across R<sub>2</sub> and the resulting current flows through Q<sub>2</sub> to become I<sub>REF</sub>, neglecting the base currents of Q<sub>1</sub> and Q<sub>2</sub>.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
图片未下载：university:courses:electronics:text:chptr14_f3.png
原句The resulting reference current, I<sub>REF</sub>, will be equal to V<sub>BE</sub> divided by R<sub>2</sub> and have the strong negative temperature coefficient as we saw in figure 14.2.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句This negative temperature coefficient of the current is often referred to as CTAT or Complementary To Absolute Temperature.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句We can compensate for this negative temperature drift by summing this current with another current with an equally strong positive temperature coefficient.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句Remembering back to Chapter 11 Section 10 where we discussed the Peaking Current source, we have a circuit block that has such a positive temperature drift.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句We referred to this as a PTAT or Proportional To Absolute Temperature current.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句In figure 14.4 we combine the circuit from figure 14.3 (Q<sub>1</sub>, Q<sub>2</sub>, R<sub>1</sub>and R<sub>2</sub>) on the right with the peaking current source from figure 11.18 in Chapter 11 (Q<sub>3</sub>, Q<sub>4</sub>, R<sub>3</sub>and R<sub>4</sub>).
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
图片未下载：university:courses:electronics:text:chptr14_f4.png
原句If we set the PTAT and CTAT currents to be roughly equal (70uA) at some nominal temperature then the sum of the two currents (140uA) will be approximately flat vs. temperature as we see in the simulation plot in figure 14.5.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
图片未下载：university:courses:electronics:text:chptr14_f5.png
原句It is also important to point out here that if the temperature independent I<sub>REF</sub> current were applied to a low temperature coefficient resistor a more or less temperature independent voltage reference would be the result.
中文译读逐句译读：这句话围绕 电压基准 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释电压基准：提供稳定、低噪声、低漂移的参考电压，是 ADC/DAC 精度链路的一部分。。
原句The need for a zero TCR resistor is not strictly required if all the resistors used in the circuit are at the same temperature and have identical TCR.
中文译读可译为“必须/需要……”。这是约束条件，通常关系到 安全工作范围、精度或稳定性。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
14.2.1 Zener diodes二极管 / 齐纳
原句In the second circuit of figure 14.1(b), a zener or avalanche diode is used, and an appreciably higher output voltage results.
中文译读可译为“它可用于/常用于……”。本句强调 二极管、齐纳 的用途，设计时还要检查适用条件和限制。
补充注释二极管：单向导电非线性器件；实际行为与电流、温度和反向恢复有关。；齐纳：反向击穿稳压器件；必须限流并检查功耗。。
原句While true zener breakdown occurs below 5 V, avalanche breakdown occurs at higher voltages and has a positive temperature coefficient.
中文译读逐句译读：这句话围绕 齐纳 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释齐纳：反向击穿稳压器件；必须限流并检查功耗。。
原句Note that diode reverse breakdown is referred to almost universally today as zener, even though it is usually avalanche breakdown.
中文译读逐句译读：这句话围绕 二极管、齐纳 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释二极管：单向导电非线性器件；实际行为与电流、温度和反向恢复有关。；齐纳：反向击穿稳压器件；必须限流并检查功耗。。
原句With a D<sub>1</sub> breakdown voltage in the 5 to 8 V range, the net positive TC is approximately such that it equals the negative TC of forward-biased diode D<sub>2</sub>, yielding a small net TC of 100 ppm/°C or less when operated at the proper bias current.
中文译读逐句译读：这句话围绕 二极管 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释二极管：单向导电非线性器件；实际行为与电流、温度和反向恢复有关。。
原句Combinations of such carefully chosen diodes formed the basis of the early single package "temperature-compensated zener" references, such as the 1N821-1N829 series.
中文译读逐句译读：这句话围绕 二极管、齐纳 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释二极管：单向导电非线性器件；实际行为与电流、温度和反向恢复有关。；齐纳：反向击穿稳压器件；必须限流并检查功耗。。
原句The temperature-compensated zener reference is limited in terms of initial accuracy, since the best TC combinations fall at odd voltages, such as the 1N829's 6.2 V.
中文译读逐句译读：这句话围绕 齐纳 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释齐纳：反向击穿稳压器件；必须限流并检查功耗。。
原句And, the scheme is also limited for loading, since for best TC the diode current must be carefully controlled.
中文译读可译为“必须/需要……”。这是约束条件，通常关系到 二极管。
补充注释二极管：单向导电非线性器件；实际行为与电流、温度和反向恢复有关。。
原句Unlike a fundamentally lower voltage (<2 V) reference, zener diode based references must of necessity be driven from voltage sources appreciably higher than 6 V levels, so this precludes operation of zener references from 5 V or lower system supplies.
中文译读可译为“必须/需要……”。这是约束条件，通常关系到 二极管、齐纳。
补充注释二极管：单向导电非线性器件；实际行为与电流、温度和反向恢复有关。；齐纳：反向击穿稳压器件；必须限流并检查功耗。。
原句References based on low TC zener (avalanche) diodes also tend to be noisy, due to the basic noise of the breakdown mechanism.
中文译读逐句译读：这句话围绕 二极管、齐纳、噪声 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释二极管：单向导电非线性器件；实际行为与电流、温度和反向恢复有关。；齐纳：反向击穿稳压器件；必须限流并检查功耗。；噪声：电路内部随机扰动；低噪声设计要分清电压噪声、电流噪声和电阻热噪声。。
原句This has been improved greatly with monolithic zener types, as is described further in section 14.4.
中文译读逐句译读：这句话围绕 齐纳 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释齐纳：反向击穿稳压器件；必须限流并检查功耗。。
14.3 Bandgap References参考资料
原句The development of voltage references with low output voltages (<5 V) based on the bandgap voltage of silicon has led to the introduction of various integrated circuits with low temperature drift.
中文译读逐句译读：这句话围绕 电压基准 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释电压基准：提供稳定、低噪声、低漂移的参考电压，是 ADC/DAC 精度链路的一部分。。
原句The bandgap reference technique is attractive in IC designs because of several reasons; among these are the relative simplicity, and the avoidance of zeners and their noise.
中文译读逐句译读：这句话围绕 齐纳、噪声 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释齐纳：反向击穿稳压器件；必须限流并检查功耗。；噪声：电路内部随机扰动；低噪声设计要分清电压噪声、电流噪声和电阻热噪声。。
原句However, very important in these days of ever decreasing system supplies is the fundamental fact that bandgap devices operate at low voltages down to 1.2V or less.
中文译读可译为“但是/然而……”。本句在提醒限制或例外：即使涉及 上述概念，也不能无条件套用前一句结论。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句Not only are they used for stand-alone IC references, but they are also used within the designs of many other linear ICs such as ADCs and DACs.
中文译读可译为“但是/然而……”。本句在提醒限制或例外：即使涉及 上述概念，也不能无条件套用前一句结论。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句To understand the underlying concept of the Bandgap reference we first need to explore an important relationship involving bipolar transistors.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句Imagine that we have two identical transistors as shown in figure 14.6.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
图片未下载：university:courses:electronics:text:chptr14_f6.png
原句Let's assume that each of these devices is provided with voltages at the base and that the collector voltage (V+) is positive enough to avoid saturation, which is generally greater than V<sub>BE</sub>.
中文译读逐句译读：这句话围绕 饱和 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释饱和：不同器件上下文含义不同：BJT 饱和与 MOS 饱和不是一回事。。
原句In this experiment we will need to measure the two collector currents and the difference in base voltage.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句Since we can monitor the collector currents, it should be easy to constrain the range of the currents to a value where the collector current and base voltage are related by the now familiar relationship:
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
图片未下载：university:courses:electronics:text:chptr14_e6.png
原句Where, I<sub>C</sub> is the collector current, V<sub>BE</sub> is the base-emitter voltage, I<sub>S</sub> is the saturation current for the transistor with a particular geometry and doping, and q/kT is the reciprocal of the thermal voltage.
中文译读逐句译读：这句话围绕 饱和 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释饱和：不同器件上下文含义不同：BJT 饱和与 MOS 饱和不是一回事。。
原句A fairly standard transistor operating at around 100uA may have a V<sub>BE</sub>of around 650mV at room temperature where q/kT is about 0.039/V.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句The exponential factor in the equation will be on the order of 10<sup>11</sup>.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句In this case we can safely drop the -1 term without serious error.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句Using this approximation we can now investigate the effect of operating the matched transistors at different currents.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句If we establish the two collector currents I<sub>C1</sub> and I<sub>C2</sub> by adjusting V<sub>BE1</sub> and V<sub>BE2</sub>, then we can take the ratio of the two currents and remembering that I<sub>S1</sub> is equal to I<sub>S2</sub>, as follows by rearranging the equation:
中文译读可译为“二者相等/代数关系成立”。这里的核心量是 等式两边的电路量，使用时要先统一参考方向和符号。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
图片未下载：university:courses:electronics:text:chptr14_e7.png
原句From this equation we get the expected result that V<sub>BE1</sub>-V<sub>BE2</sub>=0 when the ratio of I<sub>C1</sub> to I<sub>C2</sub> is equal to 1.
中文译读可译为“二者相等/代数关系成立”。这里的核心量是 等式两边的电路量，使用时要先统一参考方向和符号。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句We can get the equation for the difference in V<sub>BE</sub> (ΔV<sub>BE</sub>) by taking the natural logarithm:
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
图片未下载：university:courses:electronics:text:chptr14_e8.png
原句From these equations we can see that the I<sub>S</sub> terms are gone so the strong negative temperature effect is now gone as well.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句So the ΔV<sub>BE</sub> now has a positive temperature coefficient and is in fact proportional to absolute temperature (PTAT).
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句We can now proceed to the next step in developing a voltage reference.
中文译读逐句译读：这句话围绕 电压基准 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释电压基准：提供稳定、低噪声、低漂移的参考电压，是 ADC/DAC 精度链路的一部分。。
原句We now extend this concept for transistors with equal base voltages but different emitter areas as shown in figure 14.7.
中文译读可译为“但是/然而……”。本句在提醒限制或例外：即使涉及 上述概念，也不能无条件套用前一句结论。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句The V<sub>BE</sub> of Q<sub>1</sub>equals the V<sub>BE</sub> of Q<sub>2</sub>, which results in a controlled current ratio between I<sub>C1</sub> and I<sub>C2</sub> of 1:8 based on their relative emitter areas.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
图片未下载：university:courses:electronics:text:chptr14_f7.png
原句We can now reduce the current in Q<sub>2</sub>back to be equal to that of Q<sub>1</sub> by inserting a resistor between the emitter of Q<sub>2</sub> and ground as in figure 14.8.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句I<sub>C2</sub> x R<sub>1</sub> reduces the V<sub>BE</sub> of Q<sub>2</sub> changing the I<sub>C1</sub> / I<sub>C2</sub> ratio.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句The voltage drop across the resistor, R<sub>1</sub> represents the ΔV<sub>BE</sub> at that particular current level.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句For a given value for R<sub>1</sub>, there will be one and only one value of V<sub>BE</sub>where the two collector currents are equal (other than I<sub>C1</sub>=I<sub>C2</sub>=0).
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句This is shown in the simulation plot in figure 14.9 where for an emitter area ratio of 8 and a resistor value of 200 ohms.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
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原句At low currents where the voltage drop across R<sub>1</sub> is relatively small, I<sub>C2</sub> increases more or less exponentially at 8 times I<sub>C1</sub>.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句As the voltage drop across R<sub>1</sub> increases, the current I<sub>C2</sub> becomes less and less exponential and eventually the still exponential I<sub>C1</sub> catches up and passes I<sub>C2</sub>.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
图片未下载：university:courses:electronics:text:chptr14_f9.png
原句If we can configure a circuit, usually through negative feedback, that adjusts V<sub>BE</sub> in figure 14.8 such that I<sub>C1</sub>=I<sub>C2</sub> we can obtain a controlled value for ?V<sub>BE</sub>.
中文译读逐句译读：这句话围绕 负反馈 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释负反馈：把输出的一部分送回输入以减小误差、稳定增益、改善线性度，但会牺牲部分开环增益。。
原句The basic principle of the Bandgap reference is examined here using the circuit originally proposed by Robert Widlar in 1971 and is shown in figure 14.10.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句The fundamental idea Widlar used was to compensate the negative TC of the base emitter voltage V<sub>BE</sub> by summing it with a second voltage V(R<sub>2</sub>) which has a positive TC.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句All Bandgap references use two basic elements:\\ 1.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句Two BJT's working at different current densities\\ 2.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句Adding a V<sub>BE</sub> (-TC) and a PTAT voltage drop (+TC)
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句The problem is that in order to compensate the large negative TC of V<sub>BE</sub> a rather large ΔV<sub>BE</sub> on the order of 600mV would be required.
中文译读可译为“必须/需要……”。这是约束条件，通常关系到 安全工作范围、精度或稳定性。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句This cannot be done with the simple circuit of figure 14.8.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句The first of these reference circuits was the LM109, and a basic bandgap cell is shown in Figure 14.10.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
图片未下载：university:courses:electronics:text:chptr14_f10.png
原句This circuit is also called a "ΔV<sub>BE</sub>" reference.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句The differing current densities between matched transistors Q<sub>1</sub>-Q<sub>2</sub> produce a ΔV<sub>BE</sub> across R<sub>3</sub>.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句Because resistors R<sub>1</sub> and R<sub>2</sub> are in the ratio of 1:10 the current in Q<sub>2</sub> will be 1/10 that in Q<sub>1</sub> resulting in a smaller V<sub>BE</sub> for Q<sub>2</sub>.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句The output, V<sub>Ref</sub>, is produced by summing the V<sub>BE</sub> of Q<sub>3</sub> with the amplified ΔV<sub>BE</sub> of Q<sub>1</sub>-Q<sub>2</sub>, developed across R<sub>2</sub>.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句The ΔV<sub>BE</sub> and V<sub>BE</sub> components have opposite polarity TCs; ΔV<sub>BE</sub> is proportional-to-absolute-temperature (PTAT), while V<sub>BE</sub> is complementary-to-absolute-temperature (CTAT).
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句When the summed output, V<sub>Ref,</sub> is equal to 1.205 V (silicon bandgap voltage), the TC is a minimum.
中文译读可译为“二者相等/代数关系成立”。这里的核心量是 等式两边的电路量，使用时要先统一参考方向和符号。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句I<sub>IN</sub> must be larger than the sum of I<sub>C1</sub> and I<sub>C2</sub> and the excess current will flow in Q<sub>3</sub> as I<sub>C3</sub>.
中文译读可译为“必须/需要……”。这是约束条件，通常关系到 安全工作范围、精度或稳定性。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句However, the basic designs of figure 14.10 suffer from load and current drive sensitivity, plus the fact that the output needs accurate scaling to more useful levels, i.e., 2.5 V, 5 V, etc.
中文译读可译为“但是/然而……”。本句在提醒限制或例外：即使涉及 上述概念，也不能无条件套用前一句结论。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句The load drive issue is best addressed with the use of a buffer amplifier, which can also provide convenient voltage scaling to standard levels.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句An improved three-terminal bandgap reference, (the AD580 introduced in 1974) is shown in figure 14.11.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句Popularly called the "Brokaw Cell", this circuit provides on-chip output buffering, which allows good drive capability and standard output voltage scaling.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
图片未下载：university:courses:electronics:text:chptr14_f11.png
原句The Brokaw Cell based AD580 was the first precision bandgap based IC reference, and variants of the topology have influenced further generations of industry standard references.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句The popular design choice is two 8:1 emitter-scaled transistors Q<sub>1</sub>-Q<sub>2</sub> operating at identical collector currents (and thus 1/8 current densities), by virtue of matched load resistors R<sub>3</sub>,R<sub>4</sub> and a closed loop feedback around the buffer op amp.
中文译读逐句译读：这句话围绕 运放、闭环 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释运放：高增益差分放大器；分析时先确认是否处于负反馈线性区。；闭环：反馈已经接入并决定实际传递关系的工作状态。。
原句Due to the resultant smaller V<sub>BE</sub> of the 8× area Q<sub>1</sub>, R<sub>2</sub> in series with Q<sub>1</sub> drops the ΔV<sub>BE</sub> voltage, while R<sub>1</sub> (due to the current relationships) has a multiplied PTAT voltage V<sub>R1</sub>:
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
图片未下载：university:courses:electronics:text:chptr14_e9.png
图片未下载：university:courses:electronics:text:chptr14_e10.png
原句The bandgap cell reference voltage V<sub>BG</sub> appears at the combined base of Q<sub>1</sub> and Q<sub>2</sub>, and is the sum of V<sub>BE</sub> (Q<sub>2</sub>) and V<sub>R1</sub>, or 1.205 V, the bandgap voltage:
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句However, because of the presence of the R<sub>5</sub>/R<sub>6</sub> resistor divider and the op amp, the actual voltage appearing at V<sub>OUT</sub> can be scaled higher, in this case 2.5 V.
中文译读可译为“但是/然而……”。本句在提醒限制或例外：即使涉及 运放，也不能无条件套用前一句结论。
补充注释运放：高增益差分放大器；分析时先确认是否处于负反馈线性区。。
原句Following this general principle, V<sub>OUT</sub> can be raised to almost any other practical level, such as for example with selectable taps for precise 2.5, 5, 7.5, and 10 V output values.
中文译读这是举例说明。例子的作用是把 前面的抽象概念 落到具体数值、器件或电路情形上。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句The buffer amplifier can often provide up to 10 mA output current while operating from supplies between 4.5 and 30 V.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句These kinds of references can have output tolerances as low as 0.4%, with TCs as low as 10 ppm/°C.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句ADALM1000 Lab Activity 9, Bandgap reference\\ ADALM1000 Lab Activity 10, Shunt Bandgap reference
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句ADALM2000 Lab Activity 9, Bandgap reference\\ ADALM2000 Lab Activity 10, Shunt Bandgap reference
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
14.4 Buried (sub-surface) Zener References参考资料
原句In terms of the design approaches used within the reference core, the two most popular basic types of IC references consist of the bandgap and buried zener approaches.
中文译读逐句译读：这句话围绕 齐纳 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释齐纳：反向击穿稳压器件；必须限流并检查功耗。。
原句Bandgaps have been discussed, but zener based references warrant some further discussion.
中文译读可译为“但是/然而……”。本句在提醒限制或例外：即使涉及 齐纳，也不能无条件套用前一句结论。
补充注释齐纳：反向击穿稳压器件；必须限流并检查功耗。。
原句In an IC chip, surface operated diode junction breakdown is prone to crystal imperfections and other contamination, thus zener diodes formed at the surface are more noisy and less stable than are buried (or sub-surface) ones (see figure 14.17).
中文译读逐句译读：这句话围绕 二极管、齐纳 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释二极管：单向导电非线性器件；实际行为与电流、温度和反向恢复有关。；齐纳：反向击穿稳压器件；必须限流并检查功耗。。
原句Analog Devices' zener-based IC references employ the much preferred buried zener.
中文译读逐句译读：这句话围绕 齐纳 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释齐纳：反向击穿稳压器件；必须限流并检查功耗。。
原句This improves substantially upon the noise and drift of surface-mode operated zeners (see Reference 4).
中文译读逐句译读：这句话围绕 齐纳、噪声 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释齐纳：反向击穿稳压器件；必须限流并检查功耗。；噪声：电路内部随机扰动；低噪声设计要分清电压噪声、电流噪声和电阻热噪声。。
原句Buried zener references offer very low temperature drift, down to the 1-2 ppm/°C (AD588 and AD586), and the lowest noise as a percent of full-scale, i.e., 100 nV/√Hz or less.
中文译读逐句译读：这句话围绕 齐纳、噪声 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释齐纳：反向击穿稳压器件；必须限流并检查功耗。；噪声：电路内部随机扰动；低噪声设计要分清电压噪声、电流噪声和电阻热噪声。。
原句On the downside, the operating current of zener type references is usually relatively high, typically on the order of several mA.
中文译读逐句译读：这句话围绕 齐纳 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释齐纳：反向击穿稳压器件；必须限流并检查功耗。。
原句The zener voltage is also relatively high, typically on the order of 5V.
中文译读逐句译读：这句话围绕 齐纳 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释齐纳：反向击穿稳压器件；必须限流并检查功耗。。
原句This limit it's application in low voltage circuits.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
原句A block diagram of the AD586 is shown in Figure 15.8.
中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
图片未下载：university:courses:electronics:text:chptr14_f12.png
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原句An important general point arises when comparing noise performance of different references.
中文译读逐句译读：这句话围绕 噪声 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释噪声：电路内部随机扰动；低噪声设计要分清电压噪声、电流噪声和电阻热噪声。。
原句The best way to do this is to compare the ratio of the noise (within a given bandwidth) to the dc output voltage.
中文译读逐句译读：这句话围绕 带宽、噪声 展开；核心是在说明这些量/结构之间的定义、作用或约束关系。
补充注释带宽：满足指定增益/误差条件的频率范围。；噪声：电路内部随机扰动；低噪声设计要分清电压噪声、电流噪声和电阻热噪声。。
原句For example, a 10 V reference with a 100 nV/ sqrt Hz noise density is 6 dB more quiet in relative terms than is a 5 V reference with the same noise level.
中文译读这是举例说明。例子的作用是把 噪声 落到具体数值、器件或电路情形上。
补充注释噪声：电路内部随机扰动；低噪声设计要分清电压噪声、电流噪声和电阻热噪声。。
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中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
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中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
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中文译读逐句译读：这是一句上下文说明，建议与前后句连读，用来补全本节的概念背景或推导条件。
补充注释学习提示：先确认这句话是在给定义、列条件、还是给结论；电路题里最常见的错误是跳过适用条件直接套公式。
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